BSS84 Fiches technique, PDF - Datasheet Search Engine

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terminant par	BSS84(3) MBSS84(1) *EBSS84(1)
incluant	BSS84(22) BSS84-(1) BSS840(2) BSS84D(2) BSS84E(2) BSS84L(10) BSS84W(3)

Fabricant

BSS84 Fiches technique, PDF

Numéro de pièce trouvée : Résultats correspondant à & commançant par le terme sont "BSS84" - Totale : 209 ( 1/11 Page)

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
NXP Semiconductors	BSS84	89Kb/12P	P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor 1997 Jun 18
Taiwan Semiconductor Co...	BSS84	397Kb/6P	P-Channel Power MOSFET Version: A2007
ON Semiconductor	BSS84	196Kb/7P	P-Channel Enhancement Mode Field-Effect Transistor October, 2021 ??Rev. 5
Diodes Incorporated	BSS84	289Kb/6P	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Rev 22
	BSS84	48Kb/2P	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30149 Rev. 5 - 2
	BSS84	106Kb/4P	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Rev. 14 - 2 February 2010
NXP Semiconductors	BSS84	70Kb/11P	P-channel enhancement mode vertical DMOS transistor Rev. 06-16 December 2008
Diodes Incorporated	BSS84	103Kb/3P	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30149 Rev. 11 - 2
Pan Jit International I...	BSS84	139Kb/4P	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Weitron Technology	BSS84	127Kb/4P	Small Signal MOSFET P-Channel
Fairchild Semiconductor	BSS84	285Kb/10P	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Guilin Strong Micro-Ele...	BSS84	303Kb/3P	SOT-23 Field Effect Transistors
Fairchild Semiconductor	BSS84	247Kb/6P	P-Channel Enhancement Mode Field-Effect Transistor
Nanjing International G...	BSS84	792Kb/5P	Energy Efficient
Bruckewell Technology L...	BSS84	328Kb/4P	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
ZP Semiconductor	BSS84	372Kb/5P	P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Shanghai Shunye Electro...	BSS84	1Mb/3P	MOSFET(P-Channel) V2.22
Siemens Semiconductor G...	BSS84	73Kb/7P	SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level)
Chino-Excel Technology	BSS84	468Kb/5P	P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Micro Commercial Compon...	BSS84	807Kb/4P	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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Brève description de BSS84

Le BSS84 est une désignation en partie généralement utilisée pour un MOSFET à canal N à petit signal (transistor à effet de champ métal-oxyde-sémiconducteur). Les MOSFET sont couramment utilisés comme commutateurs ou amplificateurs dans diverses applications électroniques.

Voici quelques spécifications générales pour le MOSFET BSS84:

Tension maximale de vidange (VDS): généralement environ 50 volts
Courant de drain maximum (ID): généralement environ 130 milliampères
Tension maximale de porte-chemin (VGS): généralement autour de ± 20 volts
Tension de seuil (VGS (TH)): généralement autour de 0,7 à 3,0 volts
Vidange sur-résistance (RDS (ON)): généralement environ 10 ohms
Type de package: généralement SOT-23 (un petit paquet de support de surface)
Le MOSFET BSS84 est couramment utilisé dans les applications de commutation à faible puissance, comme dans l'électronique portable, les petits amplificateurs de signal et les circuits à usage général.

Equivalent pour BSS84

Un remplacement approprié pour le transistor MOSFET du canal P BSS84 est le BSP84.

Le BSP84 est également un transistor MOSFET à canal P avec des caractéristiques similaires et peut être utilisé en remplacement du BSS84. Il est couramment utilisé dans les applications de commutation à faible puissance et l'amplification dans les circuits électroniques.

Voici quelques similitudes clés entre les transistors BSS84 et BSP84:

Tension de vidange-source (VDS): le BSP84 a généralement une cote de tension de vidange maximale similaire en tant que BSS84.

Courant de vidange continu (ID): le BSP84 a généralement une cote de courant de drain maximale comparable comme le BSS84.

Dissipation totale de puissance (PD): La capacité de dissipation de puissance du BSP84 est généralement similaire à celle du BSS84.

Tension de seuil de source de porte (VGS (TH)): La tension de seuil de source de porte du BSP84 est généralement dans une plage similaire à celle du BSS84.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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