BS170 Fiches technique, PDF - Datasheet Search Engine

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Fabricant

BS170 Fiches technique, PDF

Numéro de pièce trouvée : Résultats correspondant à & commançant par le terme sont "BS170" - Totale : 55 ( 1/3 Page)

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Vishay Siliconix	BS170	64Kb/6P	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 16-Jul-01
NXP Semiconductors	BS170	49Kb/8P	N-channel vertical D-MOS transistor April 1995
Vishay Siliconix	BS170	51Kb/5P	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 16-Jul-01
ON Semiconductor	BS170	1Mb/16P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor March 2010 Rev. E2
Vishay Siliconix	BS170	68Kb/7P	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 16-Jul-01
Diodes Incorporated	BS170	66Kb/2P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR DS21802 Rev. D-3
General Semiconductor	BS170	233Kb/5P	DMOS Transistors (N-Channel)
ON Semiconductor	BS170	52Kb/4P	Small Signal MOSFET Small Signal MOSFET Small Signal MOSFET April, 2004 ??Rev. 4
ON Semiconductor	BS170	57Kb/4P	Small Signal MOSFET 500 mA, 60 Volts N?묬hannel TO??2 (TO??26) August, 2005 ??Rev. 5
Vishay Siliconix	BS170	64Kb/6P	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 16-Jul-01
Vishay Siliconix	BS170	64Kb/6P	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 16-Jul-01
Fairchild Semiconductor	BS170	517Kb/13P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild Semiconductor	BS170	75Kb/5P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Motorola, Inc	BS170	77Kb/4P	TMOS FET Switching(N-Channel-Enhancement)
SYC Electronica	BS170	1Mb/13P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Siemens Semiconductor G...	BS170	77Kb/7P	SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)
Diodes Incorporated	BS170F	26Kb/1P	60Volt VDS JANUARY 1996
List of Unclassifed Man...	BS170F	23Kb/1P	SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
Diodes Incorporated	BS170FTA	29Kb/1P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET JANUARY 1996
VBsemi Electronics Co.,...	BS170FTA	1Mb/8P	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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Brève description de BS170

Le BS170 est un MOSFET canal N à faible signal et à mode d'enrichissement, largement utilisé dans les applications de commutation basse consommation, d'amplification de signaux et d'interfaces numériques. Fabriqué par plusieurs fabricants de semi-conducteurs, dont ON Semiconductor et Fairchild, le BS170 est apprécié des amateurs et des ingénieurs pour sa simplicité, son prix abordable et sa polyvalence, tant dans les circuits analogiques que numériques.

Le BS170 est conçu pour une tension drain-source (V_DS) de 60 V et peut supporter des courants de drain continus jusqu'à 500 mA, ce qui le rend idéal pour la commutation de petites charges telles que les LED, les relais et les moteurs basse consommation. Sa faible tension de seuil de grille, généralement de l'ordre de 2 à 3 V, lui permet d'être piloté directement par des signaux de niveau logique provenant de microcontrôleurs comme Arduino ou Raspberry Pi. Sa résistance à l'état passant (R_DS(on)) est suffisamment faible pour minimiser les chutes de tension et les pertes de puissance dans les applications à faible courant.

Présenté dans un boîtier TO-92 compact traversant, le BS170 s'intègre facilement aux platines d'expérimentation et aux prototypes. Il est couramment utilisé dans les circuits exigeant une vitesse de commutation élevée, un faible courant de commande de grille et une taille compacte, notamment les décaleurs de niveau, les sorties numériques et les circuits de contrôle de puissance simples.

En résumé, le BS170 est un MOSFET petit signal fiable et polyvalent, offrant une solution économique pour les tâches de commutation et de traitement du signal basse consommation dans une grande variété de projets électroniques.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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