BD136 Fiches technique, PDF - Datasheet Search Engine

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Fabricant

BD136 Fiches technique, PDF

Numéro de pièce trouvée : Résultats correspondant à & commançant par le terme sont "BD136" - Totale : 84 ( 1/5 Page)

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
STMicroelectronics	BD136	148Kb/9P	Complementary low voltage transistor 22-May-2008
NXP Semiconductors	BD136	44Kb/8P	PNP power transistors 1999 Apr 12
STMicroelectronics	BD136	44Kb/4P	PNP SILICON TRANSISTORS Jun-1997
ON Semiconductor	BD136	315Kb/5P	PNP Epitaxial Silicon Transistor November, 2019 ??Rev. 1
STMicroelectronics	BD136	158Kb/9P	Complementary low voltage transistor 22-May-2008
STMicroelectronics	BD136	76Kb/4P	PNP SILICON TRANSISTORS Nov-2001
ON Semiconductor	BD136	42Kb/4P	Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor April, 2005 ??Rev. 12
STMicroelectronics	BD136	157Kb/9P	Complementary low voltage transistor 22-May-2008
TRANSYS Electronics Lim...	BD136	57Kb/1P	Plastic-Encapsulated Transistors
TRANSYS Electronics Lim...	BD136	53Kb/2P	PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS
Savantic, Inc.	BD136	111Kb/3P	Silicon PNP Power Transistors
Unisonic Technologies	BD136	88Kb/2P	PNP SILICON TRANSISTOR
KEC(Korea Electronics)	BD136	69Kb/1P	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
Inchange Semiconductor ...	BD136	133Kb/3P	Silicon PNP Power Transistors
Comset Semiconductor	BD136	74Kb/3P	SILICON PLANAR EPITAXIAL POWER TRANSISTORS.
Fairchild Semiconductor	BD136	47Kb/4P	Medium Power Linear and Switching Applications
Shanghai Shunye Electro...	BD136	194Kb/2P	PNP General Purpose Transistor V2.22
Fairchild Semiconductor	BD136	41Kb/4P	Medium Power Linear and Switching Applications
Fairchild Semiconductor	BD136	47Kb/4P	PNP Epitaxial Silicon Transistor
Savantic, Inc.	BD136	112Kb/3P	Silicon NPN Power Transistors

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Brève description de BD136

Le BD136 est une désignation en partie généralement utilisée pour un transistor de jonction bipolaire NPN (BJT). Il s'agit d'un transistor à usage général couramment utilisé dans les applications d'amplification et de commutation de faible puissance.

Voici quelques spécifications générales pour le transistor BD136:

Tension maximale de collecteur (VCBO): généralement environ 45 volts
Tension collector-émetteur maximale (VCEO): généralement autour de 45 volts
Tension maximale de base d'émetteur (VEBO): généralement autour de 5 volts
Courant du collecteur maximum (IC): généralement environ 1,5 ampère
Dissie maximale de puissance (PD): généralement autour de 12,5 watts
Type de package: généralement à 126 (un package à piste largement utilisé)
Le transistor BD136 est couramment utilisé dans des applications telles que les amplificateurs audio, les circuits de commutation et les applications de faible puissance à usage général.

Equivalent pour BD136

Un remplacement approprié pour le transistor BD136 est le TIP31. Le TIP31 est un transistor NPN complémentaire qui peut remplacer le BD136 dans de nombreuses applications.

Voici quelques similitudes clés entre les transistors BD136 et TIP31:

Type de transistor: les transistors BD136 et TIP31 sont des transistors à jonction bipolaire NPN (BJTS).

Tension et notes de courant: les cotes de tension et de courant des BD136 et TIP31 sont comparables. Les deux transistors ont un courant de collecteur maximum (IC) similaire et des notes de tension collector-émetteur (VCEO) maximales.

Type de package: les transistors BD136 et TIP31 sont généralement disponibles dans le même type de package, comme pour 220 ou à 126. Ces forfaits sont couramment utilisés et fournissent une bonne dissipation de chaleur.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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