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Index   BC549(62) Résultats de recherche (s) pour.
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Fabricant


BC549 Fiches technique, PDF

Numéro de pièce trouvée : Résultats correspondant à & commançant par le terme sont "BC549" - Totale : 61 ( 1/4 Page)
FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
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NXP Semiconductors
BC549 PHILIPS-BC549 Datasheet
44Kb/8P
NPN general purpose transistors
1999 Apr 22
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Semtech Corporation
BC549 SEMTECH-BC549 Datasheet
371Kb/5P
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
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ON Semiconductor
BC549 ONSEMI-BC549 Datasheet
301Kb/8P
NPN Epitaxial Silicon Transistor
November 2014 Rev. 1.1.1
logo
NXP Semiconductors
BC549 NXP-BC549 Datasheet
248Kb/7P
NPN general purpose transistors
2004 Oct 11
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General Semiconductor
BC549 GE-BC549 Datasheet
263Kb/6P
Small Signal Transistors (NPN)
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SEMTECH ELECTRONICS LTD...
BC549 SEMTECH_ELEC-BC549 Datasheet
139Kb/2P
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
logo
Micro Electronics
BC549 MICRO-ELECTRONICS-BC549 Datasheet
315Kb/4P
NPN SILICON RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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Diotec Semiconductor
BC549 DIOTEC-BC549 Datasheet
148Kb/2P
Si-Epitaxial PlanarTransistors
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Siemens Semiconductor G...
BC549 SIEMENS-BC549 Datasheet
210Kb/6P
NPN Silicon Transistors
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Diotec Semiconductor
BC549 DIOTEC-BC549 Datasheet
100Kb/2P
General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
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Dc Components
BC549 DCCOM-BC549 Datasheet
215Kb/1P
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
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KEC(Korea Electronics)
BC549 KEC-BC549 Datasheet
121Kb/1P
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (LOW NOISE AMPLIFIER)
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Fairchild Semiconductor
BC549 FAIRCHILD-BC549 Datasheet
44Kb/4P
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
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KEC(Korea Electronics)
BC549 KEC-BC549 Datasheet
34Kb/1P
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
logo
Fairchild Semiconductor
BC549 FAIRCHILD-BC549 Datasheet
50Kb/4P
Switching and Applications Switching and Applications
BC549 FAIRCHILD-BC549 Datasheet
55Kb/4P
Switching and Applications
BC549 FAIRCHILD-BC549 Datasheet
50Kb/4P
Switching and Applications
BC549 FAIRCHILD-BC549 Datasheet
50Kb/4P
Switching and Applications
BC549 FAIRCHILD-BC549 Datasheet
151Kb/6P
Switching and Amplifier
BC549 FAIRCHILD-BC549 Datasheet
141Kb/6P
NPN Epitaxial Silicon Transistor

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Brève description de BC549


Le BC549 est un transistor de jonction bipolaire NPN à usage général (BJT) couramment utilisé à des fins d'amplification et de commutation. Voici ses caractéristiques et spécifications clés:

Type: transistor de jonction bipolaire NPN (BJT).

Polarité: transistor NPN, ce qui signifie qu'il a une configuration négative positive négative.

Tension maximale de base de collection (VCBO): généralement autour de 30 volts.

Tension collector-émetteur maximale (VCEO): généralement autour de 30 volts.

Tension maximale de base d'émetteur (VEBO): généralement autour de 5 volts.

Courant du collecteur maximum (IC): généralement dans la plage de quelques centaines de milliampères.

Dissipation de puissance (PTOT): La puissance maximale que le transistor peut gérer sans dommage, généralement dans la plage de quelques centaines de milliwatts à un watt.

Fréquence de transition (FT): la fréquence maximale à laquelle le transistor peut amplifier efficacement les signaux, généralement dans la plage de quelques centaines de mégahertz.

Package: Le transistor BC549 est couramment disponible dans les packages TO-92 ou similaires, qui conviennent au montage de PCB à travers.

Applications: En raison de ses caractéristiques générales, la BC549 peut être utilisée dans un large éventail d'applications, notamment une amplification à petit signal, une amplification de tension, des circuits de commutation et des circuits d'oscillateur.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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