BC546 Fiches technique, PDF - Datasheet Search Engine

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terminant par	BC546(9) CBC546(1)
incluant	BC546(19) BC546_(1)

Fabricant

BC546 Fiches technique, PDF

Numéro de pièce trouvée : Résultats correspondant à & commançant par le terme sont "BC546" - Totale : 164 ( 1/9 Page)

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
ON Semiconductor	BC546	301Kb/8P	NPN Epitaxial Silicon Transistor November 2014 Rev. 1.1.1
ON Semiconductor	BC546	140Kb/6P	Amplifier Transistors(NPN Silicon) 1996 REV 1
NXP Semiconductors	BC546	47Kb/8P	NPN general purpose transistors 2004 Nov 25
Semtech Corporation	BC546	371Kb/5P	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
Taiwan Semiconductor Co...	BC546	238Kb/3P	NPN Transistor
NXP Semiconductors	BC546	404Kb/14P	65 V, 100 mA NPN general-purpose transistors Rev. 07-17 November 2009
General Semiconductor	BC546	263Kb/6P	Small Signal Transistors (NPN)
SEMTECH ELECTRONICS LTD...	BC546	139Kb/2P	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
NXP Semiconductors	BC546	60Kb/9P	NPN general purpose transistors 2004 Nov 25
Micro Electronics	BC546	315Kb/4P	NPN SILICON RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
Diotec Semiconductor	BC546	148Kb/2P	Si-Epitaxial PlanarTransistors
Weitron Technology	BC546	1Mb/5P	NPN General Purpose Transistor
Unisonic Technologies	BC546	108Kb/4P	SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS
Micro Commercial Compon...	BC546	1Mb/4P	NPN Silicon Amplifier Transistor 625mW
Diotec Semiconductor	BC546	100Kb/2P	General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
Pan Jit International I...	BC546	160Kb/5P	NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
Dc Components	BC546	218Kb/1P	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
SeCoS Halbleitertechnol...	BC546	183Kb/3P	Elektronische Bauelemente
KEC(Korea Electronics)	BC546	284Kb/3P	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)
Rectron Semiconductor	BC546	93Kb/3P	NPN Silicon Planar Epitaxial Transistors

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Brève description de BC546

BC546 est un transistor de jonction bipolaire NPN à usage général (BJT) conçu pour une utilisation dans des applications d'amplificateur et de commutation. Il a un gain de courant maximal (HFE) de 800, une note de courant de collecteur (IC) de 100 mA et une tension collective-émetteur maximale (VCEO) de 65V.

Certaines des spécifications techniques de la BC546 sont:

Courant du collecteur maximum (IC): 100mA
Tension collector-émetteur maximale (VCEO): 65V
Tension maximale de base d'émetteur (VEBO): 6V
Gain de courant CC maximum (HFE): 800
Dissipation de puissance maximale (PTOT): 500MW
Plage de température de fonctionnement: -65 ° C à + 150 ° C
Package: TO-92

BC546 est couramment utilisé dans les circuits d'amplificateurs à faible puissance, les préamplificateurs audio et les circuits de commutation. Il est également utilisé comme transistor à usage général dans une variété d'applications. Son faible coût, son gain de courant élevé et son faible bruit en font un choix populaire pour de nombreuses conceptions électroniques.

Equivalent pour BC546

BC546 est un transistor de jonction bipolaire NPN à usage général (BJT) couramment utilisé dans l'amplificateur à faible puissance et les circuits de commutation à faible puissance.

Voici quelques remplacements possibles pour BC546:

2N3904: Il s'agit d'un transistor NPN à usage général largement utilisé, adapté à l'amplificateur à faible puissance et aux applications de commutation. Il a des caractéristiques électriques similaires à BC546 et est souvent utilisée comme remplacement de rendez-vous.

BC547: Il s'agit d'un transistor NPN à usage général, similaire à BC546 mais avec des cotes de courant et de puissance légèrement plus élevées. Il est couramment utilisé dans l'amplificateur à faible puissance et les circuits de commutation.

BC548: Il s'agit d'un autre transistor NPN à usage général avec des caractéristiques électriques similaires à BC546. Il a une cote de tension maximale plus élevée que BC546 et est couramment utilisé dans l'amplificateur à faible puissance et les circuits de commutation.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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