BAW56 Fiches technique, PDF - Datasheet Search Engine

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incluant	BAW56(20) BAW56-(1) BAW56D(4) BAW56L(6) BAW56T(1) BAW56W(4)

Fabricant

BAW56 Fiches technique, PDF

Numéro de pièce trouvée : Résultats correspondant à & commançant par le terme sont "BAW56" - Totale : 633 ( 1/32 Page)

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Vishay Siliconix	BAW56	97Kb/4P	Small Signal Switching Diode, Dual 13-Feb-18
NXP Semiconductors	BAW56	56Kb/12P	High-speed double diode 1999 May 11
Vishay Siliconix	BAW56	53Kb/4P	Dual Surface Mount Switching Diode 17-Mar-99
Vishay Siliconix	BAW56	96Kb/4P	Small Signal Switching Diode, Dual 13-Feb-18
Diodes Incorporated	BAW56	351Kb/4P	DUAL SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE Rev 23
Taiwan Semiconductor Co...	BAW56	125Kb/4P	225mW SMD Switching Diode
NXP Semiconductors	BAW56	115Kb/15P	High-speed switching diodes Rev. 05-26 November 2007
Diodes Incorporated	BAW56	215Kb/3P	DUAL SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE S12008 Rev. 18 - 2
	BAW56	151Kb/2P	DUAL SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE DS12008 Rev. 18 - 2
	BAW56	53Kb/2P	QUAD SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE ARRAY DS30146 Rev. B-1
General Semiconductor	BAW56	49Kb/2P	Small Signal Diodes
Infineon Technologies A...	BAW56	153Kb/12P	Silicon Switching Diode 2007-09-19
Infineon Technologies A...	BAW56	128Kb/8P	Silicon Switching Diode Jun-03-2003
NXP Semiconductors	BAW56	115Kb/15P	High-speed switching diodes Rev. 05-26 November 2007
Taiwan Semiconductor Co...	BAW56	165Kb/2P	225mW SMD Switching Diode
SEMTECH ELECTRONICS LTD...	BAW56	169Kb/2P	HIGH SPEED DOUBLE SWITCHING DIODE
Taiwan Semiconductor Co...	BAW56	788Kb/2P	Plastic-Encapsulate Switching Diodes
Rohm	BAW56	55Kb/4P	Switching diode
Diodes Incorporated	BAW56	103Kb/3P	DUAL SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE DS12008 Rev. 16 - 2
Weitron Technology	BAW56	501Kb/4P	Surface Mount Switching Diode

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Brève description de BAW56

BAW56 est une diode de commutation à grande vitesse couramment utilisée dans les circuits électroniques. Il s'agit d'un dispositif de montage en surface avec trois fils, et il se compose de deux diodes connectées dans une configuration de cathode commune.

La diode BAW56 est caractérisée par sa vitesse de commutation rapide, sa baisse de tension avant et son courant de fuite inverse faible. Sa chute de tension directe maximale est généralement autour de 1 V, et sa cote de tension inverse maximale est généralement d'environ 75 V. Le BAW56 est conçu pour fonctionner sur une large gamme de températures, ce qui le rend adapté à une utilisation dans des environnements difficiles.

L'une des principales applications du BAW56 est dans les circuits numériques, où il est utilisé pour la commutation rapide et la rectification. Il est également utilisé dans les circuits radiofréquences (RF), où il est utilisé pour la détection et le mélange de signaux. De plus, le BAW56 est utilisé dans les circuits de régulation de tension, où il est utilisé pour protéger les composants sensibles des pointes de tension et des transitoires.

Dans l'ensemble, le BAW56 est un composant polyvalent et largement utilisé en électronique, grâce à sa vitesse de commutation rapide, à une baisse de tension avant faible et à un faible courant de fuite inversé. Sa petite taille et son ensemble de montage en surface le rendent idéal pour une utilisation dans les circuits électroniques compacts et densément emballés.

Equivalent pour BAW56

BAW56 est une double diode composée d'une diode de barrière Schottky et d'une diode de commutation dans un package SOT-23 commun. Il est couramment utilisé dans les applications de faible puissance telles que la commutation du signal et la rectification.

Un remplacement possible de BAW56 est le BAT54S, qui est également une double diode composée d'une diode de barrière Schottky et d'une diode de commutation. Le BAT54S a des caractéristiques électriques similaires au BAW56 et est disponible dans le même package SOT-23. Les autres alternatives incluent le BAS16LT1G et le Bav70lt1g.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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