BAS70 Fiches technique, PDF - Datasheet Search Engine

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terminant par	BAS70(5) DBAS70(2) MBAS70(1) SBAS70(1)
incluant	BAS70(52) BAS70-(22) BAS70B(5) BAS70D(3) BAS70L(6) BAS70T(1)

Fabricant

BAS70 Fiches technique, PDF

Numéro de pièce trouvée : Résultats correspondant à & commançant par le terme sont "BAS70" - Totale : 1,172 ( 1/59 Page)

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
NXP Semiconductors	BAS70	61Kb/8P	Schottky barrier double diodes 1999 Jun 01
Vishay Siliconix	BAS70	56Kb/4P	Surface Mount Schottky Barrier Diodes 01-Apr-99
Taiwan Semiconductor Co...	BAS70	187Kb/4P	225mW SMD Switching Diode
Diodes Incorporated	BAS70	123Kb/3P	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE
Diodes Incorporated	BAS70	52Kb/1P	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE DS11007 Rev. L-2
General Semiconductor	BAS70	51Kb/2P	Schottky Diodes
Microsemi Corporation	BAS70	122Kb/2P	SCHOTTKY array??SERIES
Infineon Technologies A...	BAS70	553Kb/12P	Silicon Schottky Diode Feb-03-2003
Infineon Technologies A...	BAS70	470Kb/4P	HiRel Silicon Schottky Diode 1998
Microsemi Corporation	BAS70	131Kb/2P	SCHOTTKYarray SERIES
Infineon Technologies A...	BAS70	1Mb/24P	Silicon Schottky Diode 2014-02-13
Diodes Incorporated	BAS70	278Kb/3P	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE DS11007 Rev. 19 - 2
Taiwan Semiconductor Co...	BAS70	114Kb/2P	200m Watts Surface Mount Schottky Barrier Diode
NXP Semiconductors	BAS70	137Kb/20P	General-purpose Schottky diodes Rev. 08-4 May 2006
Infineon Technologies A...	BAS70	271Kb/23P	Silicon Schottky Diode 2007-09-19
Diodes Incorporated	BAS70	107Kb/4P	Low Turn-on Voltage Rev 22
NXP Semiconductors	BAS70	224Kb/20P	General-purpose Schottky diodes in small Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. Rev. 09-13 January 2010
Taiwan Semiconductor Co...	BAS70	113Kb/2P	200m Watts Surface Mount Schottky Barrier Diode
NXP Semiconductors	BAS70	224Kb/20P	General-purpose Schottky diodes Rev. 09-13 January 2010
SEMTECH ELECTRONICS LTD...	BAS70	137Kb/1P	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

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Brève description de BAS70

BAS70 est une diode de commutation à grande vitesse couramment utilisée dans les circuits électroniques. Il s'agit d'un dispositif de montage de surface avec trois fils et se compose de deux diodes connectées dans une configuration d'anode commune.

La diode BAS70 est caractérisée par sa vitesse de commutation rapide, sa chute de tension avant faible et son courant de fuite inverse faible. Sa chute de tension directe maximale est généralement d'environ 0,6 V, et sa cote de tension inverse maximale est généralement d'environ 70 V. Le BAS70 est conçu pour fonctionner sur une large gamme de températures, ce qui le rend adapté à une utilisation dans des environnements difficiles.

L'une des principales applications du BAS70 est dans les circuits numériques, où il est utilisé pour la commutation et la rectification rapides. Il est également utilisé dans les circuits radiofréquences (RF), où il est utilisé pour la détection et le mélange de signaux. De plus, le BAS70 est utilisé dans les circuits de régulation de tension, où il est utilisé pour protéger les composants sensibles des pics de tension et des transitoires.

Equivalent pour BAS70

BAS70 est une diode de montage à double surface composée d'une diode de barrière Schottky et d'une diode de commutation. Il est couramment utilisé dans les applications de faible puissance telles que la commutation du signal et la rectification.

Un remplacement possible de BAS70 est le Bav70, qui est également une double diode composée d'une diode de barrière Schottky et d'une diode de commutation. Le Bav70 a des caractéristiques électriques similaires au BAS70 et est disponible dans le même package SOT-23. Les autres alternatives incluent les BAT54S et le BAW56, qui sont également des diodes doubles avec une barrière Schottky et des diodes de commutation dans un package SOT-23 commun.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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