50N06 Fiches technique, PDF - Datasheet Search Engine

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commençant par	50N06(40) 50N06-(4) 50N06F(1) 50N06G(11) 50N06L*(20)
terminant par	50N06(165) P50N06(44) 150N06(5) B50N06(12) I50N06(5) F50N06(7) G50N06(4) S50N06(5) W50N06(4) 050N06(6) D50N06(11) U50N06(9) T50N06(3) 250N06(1) M50N06(6) R50N06(4) X50N06(1) A50N06(1) E50N06(1) K50N06(1)
incluant	50N06(387) 50N06C(1) 50N06L(1) 50N06P(1) 50N06Z(1)

Fabricant

50N06 Fiches technique, PDF

Numéro de pièce trouvée : Résultats correspondant à & commançant par le terme sont "50N06" - Totale : 59 ( 1/3 Page)

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Unisonic Technologies	50N06	145Kb/8P	50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
	50N06	330Kb/8P	50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
	50N06	345Kb/8P	50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
Nell Semiconductor Co.,...	50N06	445Kb/9P	N-Channel Power MOSFET
Inchange Semiconductor ...	50N06	65Kb/2P	Fast Switching Speed
Chongqing Pingwei Enter...	50N06	194Kb/2P	50A mps,60 Volts N-CHANNEL MOSFET
KIA Semiconductor Techn...	50N06	338Kb/6P	50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL MOSFET
EVER SEMICONDUCTOR CO.,...	50N06	1Mb/6P	60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Rev:2023A2
VBsemi Electronics Co.,...	50N06	1Mb/7P	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
Jiangsu Donghai Semicon...	50N06	808Kb/10P	50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
	50N06	812Kb/10P	50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
	50N06	807Kb/10P	50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
	50N06	808Kb/10P	50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
	50N06	807Kb/10P	50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
Guangdong Youtai Semico...	50N06	1Mb/6P	60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Jiangsu Donghai Semicon...	50N06	808Kb/10P	50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
Unisonic Technologies	50N06-F	325Kb/8P	N-CHANNEL POWER MOSFET
	50N06-Q	215Kb/6P	50A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET
	50N06-TA3-T	145Kb/8P	50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
	50N06-TF3-T	145Kb/8P	50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

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Brève description de 50N06

Le 50N06 est un MOSFET de puissance canal N conçu pour les applications de commutation à courant élevé et basse tension en électronique de puissance. Fabriqué par divers fabricants de semi-conducteurs, dont STMicroelectronics, ON Semiconductor et Fairchild, le 50N06 est largement utilisé dans les convertisseurs CC-CC, les pilotes de moteur, les alimentations et l'électronique automobile, grâce à ses performances robustes, sa faible résistance à l'état passant et sa capacité de gestion de courant élevée.

Le 50N06 est conçu pour une tension drain-source (V_DS) de 60 V et peut gérer des courants de drain continus jusqu'à 50 A (avec une dissipation thermique adéquate), ce qui le rend idéal pour les applications haute puissance. Sa très faible résistance à l'état passant (R_DS(on)), généralement de l'ordre de 0,022 ohm ou moins, minimise les pertes par conduction et améliore l'efficacité énergétique des circuits de commutation. De plus, le MOSFET présente une faible charge de grille, ce qui permet des vitesses de commutation rapides et un fonctionnement efficace dans les circuits haute fréquence.

Logé dans un boîtier TO-220, le 50N06 offre d'excellentes performances thermiques et se monte facilement sur des dissipateurs thermiques pour une dissipation thermique efficace. Il est souvent utilisé dans les circuits nécessitant une commutation basse tension et courant élevé, tels que les systèmes d'alimentation automobile, les alimentations à haut rendement et les onduleurs.

En résumé, le 50N06 est un MOSFET canal N polyvalent et puissant, offrant une solution efficace et économique pour les applications de commutation de moyenne à haute puissance, ce qui en fait un choix populaire dans les conceptions électroniques industrielles et grand public.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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