2SC5200 Fiches technique, PDF - Datasheet Search Engine

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2SC5200 Fiches technique, PDF

Numéro de pièce trouvée : Résultats correspondant à & commançant par le terme sont "2SC5200" - Totale : 50 ( 1/3 Page)

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
ON Semiconductor	2SC5200	238Kb/7P	NPN Epitaxial Silicon Transistor January 2009 Rev. C
STMicroelectronics	2SC5200	157Kb/8P	High power NPN epitaxial planar bipolar transistor 28-Sep-2009
Savantic, Inc.	2SC5200	229Kb/4P	Silicon NPN Power Transistors
Toshiba Semiconductor	2SC5200	127Kb/4P	Power Amplifier Applications
New Jersey Semi-Conduct...	2SC5200	281Kb/2P	POWER AMPLIFIER APPLICATION
Thinki Semiconductor Co...	2SC5200	424Kb/2P	150 Watt Silicon NPN Power Transistors
Fairchild Semiconductor	2SC5200	205Kb/6P	NPN Epitaxial Silicon Transistor
Savantic, Inc.	2SC5200	231Kb/4P	Silicon NPN Power Transistors
SYC Electronica	2SC5200	182Kb/7P	High power NPN epitaxial planar bipolar transistor
Inchange Semiconductor ...	2SC5200	288Kb/2P	isc Silicon NPN Power Transistor 2023-9-20
JILIN SINO-MICROELECTRO...	2SC5200	571Kb/8P	Silicon NPN Triple Diffused Transistor
Thinki Semiconductor Co...	2SC5200	281Kb/2P	150 Watt Silicon Epitaxial Planar NPN Power Transistor
Unisonic Technologies	2SC5200	94Kb/3P	POWER AMPLIFIER APPLICATIONS
Toshiba Semiconductor	2SC5200	1Mb/73P	Bipolar Small-Signal Transistors
Unisonic Technologies	2SC5200	177Kb/4P	POWER AMPLIFIER APPLICATIONS DRIVER STAGE AMPLIFIER
Jiangsu Changjiang Elec...	2SC5200	377Kb/2P	TO-3P Plastic-Encapsulate Transistors
Foshan Blue Rocket Elec...	2SC5200	921Kb/6P	Silicon NPN transistor in a TO-3P Plastic Package.
JILIN SINO-MICROELECTRO...	2SC5200-O-AB-N-B	571Kb/8P	Silicon NPN Triple Diffused Transistor
	2SC5200-O-AL-N-B	571Kb/8P	Silicon NPN Triple Diffused Transistor
	2SC5200-O-AL-N-D	571Kb/8P	Silicon NPN Triple Diffused Transistor

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Brève description de 2SC5200

Le 2SC5200 est un transistor de jonction bipolaire NPN haute puissance (BJT) connu pour son utilisation dans des applications d'amplificateur audio et d'amplificateur de puissance. Il fait partie de la série 2SC de transistors et est couramment utilisé dans les amplificateurs audio haute fidélité et l'équipement audio professionnel. Voici quelques caractéristiques et spécifications clés du transistor 2SC5200:

Polarité: NPN (négatif positif-négatif).

Le 2SC5200 a une couche de type N au milieu, en sandwich entre les couches de type P à l'extérieur.
Courant du collecteur maximum (IC): généralement évalué à 15A.

Il s'agit du courant maximal qui peut circuler du collecteur à l'émetteur lorsque le transistor est à l'état ON.
Tension maximale de base de collection (VCBO): généralement évaluée à 230 V.

Il s'agit de la tension maximale qui peut être appliquée entre le collecteur et les bornes de base tout en gardant le terminal de l'émetteur ouvert.
Tension collector-émetteur maximale (VCEO): généralement évaluée à 230 V.

Il s'agit de la tension maximale qui peut être appliquée entre le collecteur et les bornes d'émetteur pendant que la base est ouverte.
Gain (HFE ou Beta): généralement environ 30 à 70.

Le gain, désigné comme HFE ou Beta, représente la capacité d'amplification du transistor. Il montre à quel point le courant de collecteur est amplifié par rapport au courant de base.
Package: Le 2SC5200 est généralement disponible dans les packages TO-3P ou TO-264, qui conviennent aux transistors à haute puissance et offrent de bonnes performances thermiques.

Applications: Le transistor 2SC5200 est utilisé dans des applications de haute puissance, en particulier dans les amplificateurs audio, les amplificateurs de puissance et d'autres applications qui nécessitent une amplification à haute teneur en courbe et haute tension.

Paire complémentaire: le 2SC5200 est souvent utilisé en conjonction avec son transistor PNP complémentaire, tel que le 2SA1943, pour former un amplificateur push-pull ou une paire de commutation pour les applications nécessitant un flux de courant bidirectionnel.

Equivalent pour 2SC5200

Le 2SC5200 est un transistor NPN haute puissance couramment utilisé dans les applications d'amplificateur audio, offrant une tension collecteur-émetteur de 230 V et un courant de collecteur de 15 A. Plusieurs transistors peuvent servir de remplacement, offrant des caractéristiques électriques similaires :

TTC5200 :

Fabriqué par Toshiba en remplacement direct du 2SC5200.
Présente des valeurs nominales de tension et de courant identiques.
Disponible dans un package TO-3P.
MJL3281A :

Transistor NPN avec une tension collecteur-émetteur de 200V et un courant collecteur de 15A.
Conçu pour les applications audio haute puissance.
Encapsulé dans un boîtier TO-264.
FJL4315 :

Transistor NPN offrant une tension collecteur-émetteur de 250V et un courant collecteur de 17A.
Convient aux étages de sortie audio haute fidélité.
Emballé dans un étui TO-264.
2SC5242 :

Transistor NPN avec une tension collecteur-émetteur de 230V et un courant collecteur de 15A.
Couramment utilisé dans les circuits d'amplificateurs audio.
Disponible dans un package TO-3P.
2SC3320 :

Transistor NPN présentant une tension collecteur-émetteur de 200 V et un courant collecteur de 15 A.
Utilisé dans diverses applications haute puissance.
Encapsulé dans un emballage TO-3P.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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