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2SC5198 Fiches technique, PDF

Numéro de pièce trouvée : Résultats correspondant à & commançant par le terme sont "2SC5198" - Totale : 21 ( 1/2 Page)
FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
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Toshiba Semiconductor
2SC5198 TOSHIBA-2SC5198 Datasheet
147Kb/2P
NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
2SC5198 TOSHIBA-2SC5198 Datasheet
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Silicon NPN Triple Diffused Type Power Amplifier Applications
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Savantic, Inc.
2SC5198 SAVANTIC-2SC5198 Datasheet
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Silicon NPN Power Transistors
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Inchange Semiconductor ...
2SC5198 ISC-2SC5198 Datasheet
303Kb/3P
isc Silicon NPN Power Transistor
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Toshiba Semiconductor
2SC5198 TOSHIBA-2SC5198 Datasheet
155Kb/4P
Power Amplifier Applications
2SC5198 TOSHIBA-2SC5198 Datasheet
155Kb/4P
Power Amplifier Applications
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Savantic, Inc.
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171Kb/4P
Silicon NPN Power Transistors
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JILIN SINO-MICROELECTRO...
2SC5198 JSMC-2SC5198 Datasheet
238Kb/5P
Power Amplifier Applications
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Toshiba Semiconductor
2SC5198 TOSHIBA-2SC5198 Datasheet
1Mb/73P
Bipolar Small-Signal Transistors
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SYC Electronica
2SC5198 SYC-2SC5198 Datasheet
186Kb/2P
NPN POWER 140V 10A TO-3PI
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Toshiba Semiconductor
2SC5198 TOSHIBA-2SC5198 Datasheet
155Kb/4P
Silicon NPN Triple Diffused Type
2013-11-01
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Foshan Blue Rocket Elec...
2SC5198 FOSHAN-2SC5198 Datasheet
949Kb/6P
Silicon NPN transistor in a TO-3P Plastic Package.
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Jiangsu Changjiang Elec...
2SC5198 JIANGSU-2SC5198 Datasheet
368Kb/2P
TO-3P Plastic-Encapsulate Transistors
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JILIN SINO-MICROELECTRO...
2SC5198-O-W-N-B JSMC-2SC5198-O-W-N-B Datasheet
238Kb/5P
Power Amplifier Applications
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Toshiba Semiconductor
2SC5198-OQ TOSHIBA-2SC5198-OQ Datasheet
155Kb/4P
Power Amplifier Applications
2SC5198-R TOSHIBA-2SC5198-R Datasheet
155Kb/4P
Power Amplifier Applications
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Nell Semiconductor Co.,...
2SC5198B NELLSEMI-2SC5198B Datasheet
227Kb/3P
Silicon NPN triple diffusion planar transistor
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Toshiba Semiconductor
2SC5198OQ TOSHIBA-2SC5198OQ Datasheet
155Kb/4P
Power Amplifier Applications
2SC5198 TOSHIBA-2SC5198_06 Datasheet
122Kb/4P
Silicon NPN Triple Diffused Type Power Amplifier Applications
2SC5198 TOSHIBA-2SC5198_V01 Datasheet
155Kb/4P
Silicon NPN Triple Diffused Type
2013-11-01

12


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Brève description de 2SC5198


Le 2SC5198 est un transistor à jonction bipolaire NPN à haute tension (BJT) principalement utilisé pour les applications d'amplificateur audio. Il est conçu pour gérer les signaux haute puissance et haute fréquence, ce qui le rend adapté à une utilisation dans des amplificateurs audio, des amplificateurs de puissance et d'autres circuits liés audio. Voici les principales caractéristiques et spécifications du 2SC5198:

Type de transistor de jonction bipolaire: Le 2SC5198 est un transistor NPN, ce qui signifie qu'il se compose de trois couches de matériel semi-conducteur (type P, n-type et type p), formant deux jonctions PN. Les transistors NPN conduisent le courant lorsqu'une tension positive est appliquée à la borne de base par rapport à la borne d'émetteur.

Évaluation haute tension: le 2SC5198 a une cote de tension de dégradation élevée, généralement autour de 230 volts, ce qui lui permet de résister à des tensions élevées dans les circuits d'amplificateur.

Capacité de courant élevée: il est capable de gérer des courants de collection relativement élevés, ce qui le rend adapté aux conceptions d'amplificateurs audio haute puissance.

Fonctionnement haute fréquence: Le 2SC5198 est conçu pour un fonctionnement haute fréquence, lui permettant de reproduire avec précision les signaux audio à haute fréquence dans les applications d'amplificateur audio.

Faible tension de saturation: il présente une faible tension de saturation, ce qui aide à minimiser les pertes de puissance et à améliorer l'efficacité pendant le fonctionnement.

Type de package: Le 2SC5198 est généralement disponible dans un package à travers, tel que TO-3P ou TO-220, qui offre de bonnes performances thermiques et une facilité de montage sur un dissipateur thermique pour la dissipation de chaleur.

Application: Le transistor 2SC5198 est principalement utilisé dans les circuits d'amplificateurs audio, y compris les amplificateurs de puissance, les préamplificateurs et les modules d'amplificateurs intégrés, où des capacités de manipulation à haute tension et à haute tension sont nécessaires.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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