2SC3356 Fiches technique, PDF - Datasheet Search Engine

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terminant par	No Data
incluant	2SC3356(14) 2SC3356L(3) 2SC3356R(4) 2SC3356W(3)

Fabricant

2SC3356 Fiches technique, PDF

Numéro de pièce trouvée : Résultats correspondant à & commançant par le terme sont "2SC3356" - Totale : 85 ( 1/5 Page)

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
NEC	2SC3356	102Kb/8P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER(NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR)
Renesas Technology Corp	2SC3356	200Kb/9P	NPN Silicon RF Transistor
Renesas Technology Corp	2SC3356	189Kb/9P	NPN Silicon RF Transistor
SeCoS Halbleitertechnol...	2SC3356	251Kb/3P	NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor
Weitron Technology	2SC3356	430Kb/3P	High-Frequency Amplifier Transistor NPN Silicon
Unisonic Technologies	2SC3356	197Kb/4P	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER
EVER SEMICONDUCTOR CO.,...	2SC3356	1Mb/4P	NPN Transistors Rev:2022A2
Unisonic Technologies	2SC3356	211Kb/4P	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER
Jinan Jing Heng Electro...	2SC3356	634Kb/4P	NPN Plastic-Encapsulate Transistors
Yea Shin Technology Co....	2SC3356	860Kb/4P	Low Noise and High Gain
MAKO SEMICONDUCTOR CO.,...	2SC3356	54Kb/1P	TRANSISTOR (NPN)
Guilin Strong Micro-Ele...	2SC3356	282Kb/3P	SOT-23
California Eastern Labs	2SC3356	1Mb/9P	NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for Microwave Low-Noise Amplification 3-pin Minimold
Unisonic Technologies	2SC3356	105Kb/3P	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER
SHENZHEN YONGERJIA INDU...	2SC3356	128Kb/1P	TRANSISTOR (NPN)
Galaxy Semi-Conductor H...	2SC3356	166Kb/4P	Silicon Epitaxial Planar Transistor
Foshan Blue Rocket Elec...	2SC3356	614Kb/6P	Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package
Shenzhen Luguang Electr...	2SC3356	1Mb/2P	Silicon Epitaxial Planar Transistor
DONGGUAN YOU FENG WEI E...	2SC3356	485Kb/4P	NPN Transistors
SHIKUES Electronics	2SC3356	1Mb/5P	NPN Silicon RF Transistor

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Brève description de 2SC3356

Le 2SC3356 est une désignation en partie généralement utilisée pour un transistor de jonction bipolaire NPN (BJT). Il s'agit d'un petit transistor de signal couramment utilisé dans les applications d'amplification et de commutation de faible puissance.

Voici quelques spécifications générales pour le transistor 2SC3356:

Tension maximale de base de collection (VCBO): généralement autour de 25 volts
Tension collector-émetteur maximale (VCEO): généralement environ 20 volts
Tension maximale de base d'émetteur (VEBO): généralement autour de 4 volts
Courant du collecteur maximum (IC): généralement environ 50 mA
Dissie maximale de puissance (PD): généralement environ 150 MW
Type de package: généralement SOT-23 (un petit package de contour de transistor de montage de surface)
Le transistor 2SC3356 est couramment utilisé dans des applications telles que les amplificateurs audio, les circuits de commutation et les circuits à usage général de faible puissance.

Equivalent pour 2SC3356

Un remplacement approprié pour le transistor 2SC3356 est le 2SC3355. Le 2SC3355 est un transistor NPN complémentaire qui partage des caractéristiques électriques similaires et un type de package avec le 2SC3356.

Voici quelques similitudes clés entre les transistors 2SC3356 et 2SC3355:

Type de transistor: les transistors 2SC3356 et 2SC3355 sont des transistors à jonction bipolaire NPN (BJTS).

Tension et notes de courant: les cotes de tension et de courant des transistors 2SC3356 et 2SC3355 sont comparables. Les deux transistors ont un courant de collecteur maximum (IC) similaire et des notes de tension collector-émetteur (VCEO) maximales.

Type de package: Les transistors 2SC3356 et 2SC3355 sont généralement disponibles dans le même type de package, tels que TO-92 ou SOT-23. Ces packages sont courants et adaptés aux applications à usage général.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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