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2SC3281 Fiches technique, PDF

Numéro de pièce trouvée : Résultats correspondant à & commançant par le terme sont "2SC3281" - Totale : 9 ( 1/1 Page)
FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
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Mospec Semiconductor		 2SC3281 MOSPEC-2SC3281 Datasheet
134Kb/3P		 POWER TRANSISTORS(15A,200V,150W)
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Wing Shing Computer Com...		 2SC3281 WINGS-2SC3281 Datasheet
25Kb/1P		 NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER)
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Savantic, Inc.		 2SC3281 SAVANTIC-2SC3281 Datasheet
220Kb/4P		 Silicon NPN Power Transistors
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Quanzhou Jinmei Electro...		 2SC3281 JMNIC-2SC3281 Datasheet
195Kb/4P		 Silicon NPN Power Transistors
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Inchange Semiconductor ...		 2SC3281 ISC-2SC3281 Datasheet
171Kb/4P		 Silicon NPN Power Transistors
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Savantic, Inc.		 2SC3281 SAVANTIC-2SC3281 Datasheet
222Kb/4P		 Silicon NPN Power Transistors
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New Jersey Semi-Conduct...		 2SC3281 NJSEMI-2SC3281 Datasheet
133Kb/2P		 Silicon NPN Power Transistor
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Quanzhou Jinmei Electro...		 2SC3281 JMNIC-2SC3281_15 Datasheet
195Kb/4P		 Silicon NPN Power Transistors
2SC3281_2014 JMNIC-2SC3281_2014 Datasheet
195Kb/4P		 Silicon NPN Power Transistors

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2SC3281 Datasheet ,PDF

Search Partnumber : Start with "2SC3281" - Total : 100 ( 1/5 Page)
FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
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Wing Shing Computer Com...		 2SC3280 WINGS-2SC3280 Datasheet
25Kb/1P		 NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER)
logo
Savantic, Inc.		 2SC3280 SAVANTIC-2SC3280 Datasheet
154Kb/4P		 Silicon NPN Power Transistors
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Inchange Semiconductor ...		 2SC3280 ISC-2SC3280 Datasheet
174Kb/4P		 Silicon NPN Power Transistors
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Savantic, Inc.		 2SC3280 SAVANTIC-2SC3280 Datasheet
156Kb/4P		 Silicon NPN Power Transistors
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New Jersey Semi-Conduct...		 2SC3280 NJSEMI-2SC3280 Datasheet
130Kb/2P		 Silicon NPN Power Transistor
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Quanzhou Jinmei Electro...		 2SC3281 JMNIC-2SC3281_15 Datasheet
195Kb/4P		 Silicon NPN Power Transistors
2SC3281_2014 JMNIC-2SC3281_2014 Datasheet
195Kb/4P		 Silicon NPN Power Transistors
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Sanken electric		 2SC3284 SANKEN-2SC3284 Datasheet
24Kb/1P		 Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor(Audio and General Purpose)
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Savantic, Inc.		 2SC3284 SAVANTIC-2SC3284 Datasheet
177Kb/4P		 Silicon NPN Power Transistors
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Inchange Semiconductor ...		 2SC3284 ISC-2SC3284 Datasheet
166Kb/4P		 Silicon NPN Power Transistors
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Sanken electric		 2SC3284 SANKEN-2SC3284 Datasheet
34Kb/1P		 Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor
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Savantic, Inc.		 2SC3284 SAVANTIC-2SC3284 Datasheet
179Kb/4P		 Silicon NPN Power Transistors
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New Jersey Semi-Conduct...		 2SC3284 NJSEMI-2SC3284 Datasheet
132Kb/2P		 Silicon NPN Power Transistor
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Sanken electric		 2SC3284 SANKEN-2SC3284_07 Datasheet
34Kb/1P		 Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor
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Inchange Semiconductor ...		 2SC3285 ISC-2SC3285 Datasheet
90Kb/3P		 Silicon NPN Power Transistors
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Savantic, Inc.		 2SC3285 SAVANTIC-2SC3285 Datasheet
135Kb/3P		 Silicon NPN Power Transistors
2SC3285 SAVANTIC-2SC3285 Datasheet
137Kb/3P		 Silicon NPN Power Transistors
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New Jersey Semi-Conduct...		 2SC3285 NJSEMI-2SC3285 Datasheet
130Kb/2P		 Silicon NPN Power Transistor
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NEC		 2SC3286-M NEC-2SC3286-M Datasheet
108Kb/8P		 SILICON POWER TRANSISTOR
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Renesas Technology Corp		 2SC3286-M RENESAS-2SC3286-M Datasheet
176Kb/10P		 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR 230-MHz WIDEBAND POWER AMPLIFIER INDUSTRIAL USE
July 1996 P

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Brève description de 2SC3281

Le 2SC3281 est un transistor de type épitaxial NPN de silicium, qui est conçu pour des applications à haute puissance. Cela fait partie d'une paire complémentaire, son homologue étant le transistor PNP 2SA1302. Le 2SC3281 est recommandé spécifiquement pour l'étape de sortie des amplificateurs de fréquence audio haute fidélité 100W en raison de ses caractéristiques de performance robustes.

Les caractéristiques clés et les spécifications du 2SC3281 incluent:

Tension collector à base (VCBO) de 200 V
Collecteur à l'émetteur Tension (VCEO) de 200 V, qui est la tension entre le collecteur et l'émetteur avec la base en circuit ouvert.
Émetteur à la tension de base (VEBO) de 5 V
Courant du collecteur (IC) de 15 A, qui est le courant maximal que le transistor peut gérer à travers son collecteur pour émetteur sans dommage.
Dissipation totale de puissance (PC) de 150 W
Température maximale de jonction (TJ) de 150 ° C
Plage de températures de stockage (TSG) de -55 à + 150 ° C

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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