2SC2625 Fiches technique, PDF - Datasheet Search Engine

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Fabricant

2SC2625 Fiches technique, PDF

Numéro de pièce trouvée : Résultats correspondant à & commançant par le terme sont "2SC2625" - Totale : 22 ( 1/2 Page)

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Mospec Semiconductor	2SC2625	129Kb/3P	POWER TRANSISTORS(10A,400V,80W)
Fuji Electric	2SC2625	106Kb/3P	TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING
Unisonic Technologies	2SC2625	98Kb/3P	HIGH VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING
Savantic, Inc.	2SC2625	216Kb/4P	Silicon NPN Power Transistors
Inchange Semiconductor ...	2SC2625	202Kb/4P	Silicon NPN Power Transistors
New Jersey Semi-Conduct...	2SC2625	128Kb/1P	TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH VOLTAGE, HIGH SPEED SWITCHING
New Jersey Semi-Conduct...	2SC2625	67Kb/1P	BIPOLAR TRANSISSTORS RATINGS AND SPECIFICATIONS
Unisonic Technologies	2SC2625	103Kb/3P	HIGH VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING
Savantic, Inc.	2SC2625	217Kb/4P	Silicon NPN Power Transistors
Thinki Semiconductor Co...	2SC2625	443Kb/2P	80 WATT NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Unisonic Technologies	2SC2625	103Kb/3P	HIGH VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING
List of Unclassifed Man...	2SC2625	105Kb/1P	MOLD TYPE BIPOLAR TRANSISTORS
List of Unclassifed Man...	2SC2625	81Kb/2P	High speed switching transistor
Unisonic Technologies	2SC2625-T3P-T	98Kb/3P	HIGH VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING
	2SC2625-T3P-T	103Kb/3P	HIGH VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING
	2SC2625-T3P-T	103Kb/3P	HIGH VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING
Nell Semiconductor Co.,...	2SC2625B	258Kb/3P	Silicon NPN triple diffusion planar transistor
Unisonic Technologies	2SC2625L-T3P-T	98Kb/3P	HIGH VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING
	2SC2625L-T3P-T	103Kb/3P	HIGH VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING
	2SC2625L-T3P-T	103Kb/3P	HIGH VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING

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Brève description de 2SC2625

Le 2SC2625 est un transistor de puissance NPN haute tension conçu principalement pour les alimentations à découpage (SMPS), les circuits de déviation horizontale des écrans cathodiques et les applications de commutation de puissance haute vitesse. Fabriqué par des entreprises telles que Toshiba, le 2SC2625 est reconnu pour ses performances de commutation rapides, sa tension de claquage élevée et son fonctionnement fiable sous contrainte de haute tension.

Ce transistor est conçu pour une tension collecteur-émetteur (VCEO) de 400 V et peut supporter jusqu'à 12 A de courant de collecteur, avec une dissipation de puissance maximale de 80 W lorsqu'il est correctement dissipé. Sa fréquence de transition élevée (fT) permet un fonctionnement efficace à des vitesses de commutation élevées, ce qui le rend particulièrement adapté aux tâches de conversion de puissance haute fréquence.

Le 2SC2625 est livré en boîtier TO-220, offrant de bonnes performances thermiques et un montage facile sur dissipateurs thermiques pour une meilleure gestion thermique. Sa construction robuste et sa commutation fiable en font un choix populaire dans l'électronique de puissance grand public et industrielle.

Dans l'ensemble, le 2SC2625 est un transistor de puissance NPN robuste et rapide qui offre des performances fiables dans les applications de commutation haute tension et haute fréquence, notamment dans les anciens modèles de tubes cathodiques, d'amplificateurs audio et d'alimentations à découpage.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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