2SC2073 Fiches technique, PDF - Datasheet Search Engine

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Fabricant

2SC2073 Fiches technique, PDF

Numéro de pièce trouvée : Résultats correspondant à & commançant par le terme sont "2SC2073" - Totale : 21 ( 1/2 Page)

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Mospec Semiconductor	2SC2073	114Kb/3P	POWER TRANSISTORS(1.5A,150V,25W)
TRANSYS Electronics Lim...	2SC2073	59Kb/1P	Plastic-Encapsulated Transistors
Savantic, Inc.	2SC2073	129Kb/4P	Silicon NPN Power Transistors
Inchange Semiconductor ...	2SC2073	270Kb/2P	isc Silicon NPN Power Transistor
Thinki Semiconductor Co...	2SC2073	530Kb/3P	PNP Silicon Epitaxial Power Transistor
Thinki Semiconductor Co...	2SC2073	766Kb/3P	NPN Silicon Epitaxial Power Transistor
Savantic, Inc.	2SC2073	130Kb/4P	Silicon NPN Power Transistors
Unisonic Technologies	2SC2073	122Kb/3P	NPN SILICON POWER TRANSISTOR
Micro Commercial Compon...	2SC2073	769Kb/2P	NPN Silicon Power Transistors
New Jersey Semi-Conduct...	2SC2073	124Kb/2P	Silicon NPN Power Transistor
Jinan Jing Heng Electro...	2SC2073	1Mb/7P	NPN Plastic-Encapsulate Transistors
Nanjing International G...	2SC2073	1,013Kb/3P	TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors
SYC Electronica	2SC2073	153Kb/3P	NPN POWER 150V 1.5A TO-220
SHENZHEN YONGERJIA INDU...	2SC2073	125Kb/1P	TRANSISTOR (NPN)
Foshan Blue Rocket Elec...	2SC2073	1Mb/6P	Silicon NPN transistor in a TO-220 Plastic Package.
Jiangsu Changjiang Elec...	2SC2073	508Kb/2P	TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors
Toshiba Semiconductor	2SC2073A	130Kb/2P	TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER, VERTICAL OUTPUT APPLICATIONS)
Toshiba Semiconductor	2SC2073A	156Kb/3P	TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (PCT PROCESS)
Foshan Blue Rocket Elec...	2SC2073A	975Kb/6P	Silicon NPN transistor in a TO-220F Plastic Package.
Toshiba Semiconductor	2SC2073A	156Kb/3P	TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (PCT PROCESS)

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Brève description de 2SC2073

Le 2SC2073 est un transistor plan éloxial NPN Silicon principalement conçu principalement pour les applications d'amplification et de commutation de bas niveau. Voici ses caractéristiques et spécifications clés:

Type: transistor de jonction bipolaire NPN (BJT).

Polarité: transistor NPN, ce qui signifie qu'il a une configuration négative positive négative.

Tension maximale de base de collection (VCBO): généralement autour de 25 volts.

Tension collector-émetteur maximale (VCEO): généralement autour de 15 volts.

Tension maximale de base d'émetteur (VEBO): généralement autour de 5 volts.

Courant du collecteur maximum (IC): généralement dans la plage de quelques centaines de milliampères.

Dissipation de puissance (PTOT): La puissance maximale que le transistor peut gérer sans dommage, généralement dans la plage de quelques centaines de milliwatts à un watt.

Fréquence de transition (FT): la fréquence maximale à laquelle le transistor peut amplifier efficacement les signaux, généralement dans la plage de quelques centaines de mégahertz.

Package: Le transistor 2SC2073 est couramment disponible dans les packages TO-92 ou similaires, qui conviennent au montage de PCB à travers.

Applications: En raison de ses capacités d'amplification de bas niveau, le 2SC2073 peut être utilisé dans diverses applications telles que les amplificateurs audio, les amplificateurs à petit signal, les amplificateurs de tension et les circuits de commutation.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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