2SC1623 Fiches technique, PDF - Datasheet Search Engine

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terminant par	*T2SC1623(1)
incluant	2SC1623Q(5) 2SC1623R(5) 2SC1623S(8)

Fabricant

2SC1623 Fiches technique, PDF

Numéro de pièce trouvée : Résultats correspondant à & commançant par le terme sont "2SC1623" - Totale : 84 ( 1/5 Page)

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
NEC	2SC1623	60Kb/6P	AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD
Weitron Technology	2SC1623	194Kb/4P	NPN General Purpose Transistors
Micro Commercial Compon...	2SC1623	62Kb/1P	NPN Silicon Epitaxial Transistors
TRANSYS Electronics Lim...	2SC1623	67Kb/1P	Plastic-Encapsulate Transistors
Goodwork Semiconductor ...	2SC1623	369Kb/3P	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
Nanjing International G...	2SC1623	1Mb/3P	SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors
Dc Components	2SC1623	239Kb/1P	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
SeCoS Halbleitertechnol...	2SC1623	148Kb/2P	NPN Epitaxial Planar Transistor
Unisonic Technologies	2SC1623	120Kb/2P	AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER NPN SILICON TRANSISTOR MINI MOLD
Jinan Jing Heng Electro...	2SC1623	1Mb/5P	NPN Plastic-Encapsulate Transistors
MAKO SEMICONDUCTOR CO.,...	2SC1623	107Kb/2P	High DC current gain hFE 200(Typ)VCE 6V, IC 1mA
Bruckewell Technology L...	2SC1623	380Kb/4P	Silicon PNP Epitaxial Type Transistor
GUANGDONG HOTTECH INDUS...	2SC1623	190Kb/2P	Plastic-Encapsulate Transistors
Galaxy Semi-Conductor H...	2SC1623	172Kb/4P	Silicon Epitaxial Planar Transistor Rev.A
Jiangsu High diode Semi...	2SC1623	2Mb/4P	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
Foshan Blue Rocket Elec...	2SC1623	1Mb/6P	Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package
Jiangsu Changjiang Elec...	2SC1623	842Kb/4P	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
SHENZHEN SLS TECHNOLOGY...	2SC1623	487Kb/3P	Plastic-Encapsulate Transistors
Shenzhen Luguang Electr...	2SC1623	1Mb/2P	Silicon Epitaxial Planar Transistor
DONGGUAN YOU FENG WEI E...	2SC1623	577Kb/3P	NPN Transistors

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Brève description de 2SC1623

Le 2SC1623 est un type spécifique de transistor qui appartient à la série 2SC. Il s'agit d'un transistor de jonction bipolaire NPN (négatif positif négatif) couramment utilisé (BJT). Voici quelques spécifications clés du transistor 2SC1623:

Courant du collecteur (IC): le courant de collecteur maximum est généralement d'environ 100 milliampères (MA). Cette valeur indique le courant maximal qui peut circuler à travers la borne collecteur du transistor lorsqu'il est complètement activé.

Tension collector-base (VCBO): la tension maximale qui peut être appliquée entre le collecteur et la borne de base lorsque la borne d'émetteur est en circuit ouvert. Il est généralement d'environ 45 volts.

Tension collector-émetteur (VCEO): la tension maximale qui peut être appliquée entre le collecteur et la borne d'émetteur lorsque la borne de base est en circuit ouvert. Il est généralement environ 45 volts également.

Dissipation de puissance (PD): la puissance maximale que le transistor peut gérer sans dépasser ses limites de température spécifiées. Pour le 2SC1623, il est généralement d'environ 400 milliwatts (MW).

Fréquence de transition (FT): la fréquence maximale à laquelle le transistor peut amplifier efficacement les signaux. Le 2SC1623 a une fréquence de transition allant généralement de 50 MHz à 150 MHz.

Equivalent pour 2SC1623

Le 2SC1623 est un transistor de jonction bipolaire (BJT) avec un courant de collecteur maximum de 0,5A et une tension collecteur-émetteur maximale de 50V. Ses remplacements dépendent des exigences de l'application, mais certaines options qui peuvent être des remplacements appropriées pour le 2SC1623 sont:

BC547: Il s'agit d'un transistor NPN à usage général avec un courant de collecteur maximal de 0,1a et une tension collector-émetteur maximale de 45 V. Il a une plage de gain similaire et est couramment utilisé dans les applications d'amplificateur à faible puissance et de commutation.

2N3904: Il s'agit également d'un transistor NPN à usage général avec un courant de collecteur maximum de 0,2A et une tension collective-émetteur maximale de 40V. Il a une plage de gain similaire à celle du 2SC1623 et est couramment utilisé dans les applications d'amplificateur et de commutation à faible puissance.

KSC1815: Il s'agit d'un transistor NPN à haute fréquence avec un courant de collecteur maximum de 0,15A et une tension collector-émetteur maximale de 45V. Il a une fréquence de coupure plus élevée que le 2SC1623 et est couramment utilisé dans les amplificateurs RF et les circuits d'oscillateur.

PN2222: Il s'agit d'un transistor NPN à usage général avec un courant de collecteur maximum de 0,6A et une tension collective-émetteur maximale de 40V. Il a une plage de gain similaire et est couramment utilisé dans les applications d'amplificateur à faible puissance et de commutation.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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