2SA1943 Fiches technique, PDF - Datasheet Search Engine

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Fabricant

2SA1943 Fiches technique, PDF

Numéro de pièce trouvée : Résultats correspondant à & commançant par le terme sont "2SA1943" - Totale : 58 ( 1/3 Page)

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
ON Semiconductor	2SA1943	247Kb/7P	PNP Epitaxial Silicon Transistor January 2009 Rev. C
Toshiba Semiconductor	2SA1943	148Kb/2P	TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) 06-May-1997
Unisonic Technologies	2SA1943	112Kb/3P	POWER AMPLIFIER APPLICATIONS
Fairchild Semiconductor	2SA1943	215Kb/6P	PNP Epitaxial Silicon Transistor
Toshiba Semiconductor	2SA1943	142Kb/5P	Power Amplifier Applications
Savantic, Inc.	2SA1943	221Kb/4P	Silicon PNP Power Transistors
Quanzhou Jinmei Electro...	2SA1943	203Kb/4P	Silicon PNP Power Transistors
Toshiba Semiconductor	2SA1943	139Kb/5P	Power Amplifier Applications
Unisonic Technologies	2SA1943	188Kb/4P	POWER AMPLIFIER APPLICATIONS
New Jersey Semi-Conduct...	2SA1943	302Kb/2P	TOSHIBA TRANSISTOR SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED TYPE
Thinki Semiconductor Co...	2SA1943	287Kb/2P	150 Watt Silicon PNP Power Transistors
New Jersey Semi-Conduct...	2SA1943	81Kb/2P	Silicon PNP Power Transistor
Quanzhou Jinmei Electro...	2SA1943	203Kb/4P	Silicon PNP Power Transistors
JILIN SINO-MICROELECTRO...	2SA1943	501Kb/8P	Power Amplifier Applications
SYC Electronica	2SA1943	232Kb/5P	PNP Epitaxial Silicon Transistor
Inchange Semiconductor ...	2SA1943	290Kb/2P	isc Silicon PNP Power Transistor 2023-9-20
Thinki Semiconductor Co...	2SA1943	227Kb/2P	150 Watt Silicon Epitaxial Planar PNP Power Transistor
Toshiba Semiconductor	2SA1943	1Mb/73P	Bipolar Small-Signal Transistors
Jiangsu Changjiang Elec...	2SA1943	420Kb/2P	TO-3P Plastic-Encapsulate Transistors
Foshan Blue Rocket Elec...	2SA1943	1Mb/6P	Silicon PNP transistor in a TO-3P Plastic Package.

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Brève description de 2SA1943

Le 2SA1943 est un transistor de jonction bipolaire PNP haute puissance (BJT) couramment utilisé dans les applications d'amplificateur audio. Avec son homologue NPN complémentaire, le 2SC5200, ils sont souvent utilisés dans les étapes de sortie des amplificateurs audio de haute puissance pour conduire des haut-parleurs. Voici quelques caractéristiques et spécifications clés du 2SA1943:

Type: Le 2SA1943 est un transistor PNP, ce qui signifie qu'il est construit avec un semi-conducteur de type P pris en sandwich entre deux semi-conducteurs de type N.

Amplification de puissance: Le 2SA1943 est conçu pour les applications d'amplification audio haute puissance, et il est couramment utilisé dans les étapes de sortie des amplificateurs audio où une puissance et une efficacité élevées sont nécessaires.

Courant du collecteur (IC): Le 2SA1943 est capable de gérer des courants de collection élevés, généralement dans la plage de plusieurs ampères.

Tension collector-émetteur (VCE): la tension maximale qui peut être appliquée entre le collecteur et les bornes d'émetteur sans provoquer une rupture.

Dissipation de puissance (PD): Cette spécification indique la puissance maximale que le transistor peut gérer sans dépasser sa température de jonction maximale.

Fréquence de transition (FT): La fréquence de transition est un paramètre qui indique la fréquence maximale à laquelle le transistor peut fonctionner efficacement.

Package: Le 2SA1943 est généralement disponible dans un package TO-3P, qui est un ensemble en plastique standard avec trois prospects.

Applications: Le 2SA1943 est utilisé dans les étapes de sortie des amplificateurs audio, y compris des amplificateurs audio de haute puissance pour les systèmes stéréo, les systèmes PA (Adresse publique) et d'autres applications audio.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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