2N6027 Fiches technique, PDF - Datasheet Search Engine

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Fabricant

2N6027 Fiches technique, PDF

Numéro de pièce trouvée : Résultats correspondant à & commançant par le terme sont "2N6027" - Totale : 23 ( 1/2 Page)

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
ON Semiconductor	2N6027	148Kb/8P	Programmable Unijunction Transistor May, 2000 ??Rev. 2
ON Semiconductor	2N6027	77Kb/6P	Programmable Unijunction Transistor May, 2006 ??Rev.6
Central Semiconductor C...	2N6027	177Kb/4P	MU4893
New Jersey Semi-Conduct...	2N6027	140Kb/1P	SILICON PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTORS
Digitron Semiconductors	2N6027	987Kb/4P	PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTORS
Unisonic Technologies	2N6027	141Kb/3P	PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTOR
List of Unclassifed Man...	2N6027	177Kb/6P	PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTOR
ON Semiconductor	2N6027G	148Kb/8P	Programmable Unijunction Transistor May, 2000 ??Rev. 2
ON Semiconductor	2N6027G	77Kb/6P	Programmable Unijunction Transistor May, 2006 ??Rev.6
Unisonic Technologies	2N6027G-T92-B	141Kb/3P	PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTOR
Unisonic Technologies	2N6027L-T92-B	141Kb/3P	PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTOR
ON Semiconductor	2N6027RL1	148Kb/8P	Programmable Unijunction Transistor May, 2000 ??Rev. 2
	2N6027RL1	77Kb/6P	Programmable Unijunction Transistor May, 2006 ??Rev.6
	2N6027RL1G	148Kb/8P	Programmable Unijunction Transistor May, 2000 ??Rev. 2
	2N6027RL1G	77Kb/6P	Programmable Unijunction Transistor May, 2006 ??Rev.6
	2N6027RLRA	148Kb/8P	Programmable Unijunction Transistor May, 2000 ??Rev. 2
	2N6027RLRA	77Kb/6P	Programmable Unijunction Transistor May, 2006 ??Rev.6
	2N6027RLRAG	148Kb/8P	Programmable Unijunction Transistor May, 2000 ??Rev. 2
	2N6027RLRAG	77Kb/6P	Programmable Unijunction Transistor May, 2006 ??Rev.6
	2N6027RLRM	148Kb/8P	Programmable Unijunction Transistor May, 2000 ??Rev. 2

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Brève description de 2N6027

Le 2N6027 est un transistor unijonction programmable (PUT), ce qui signifie qu'il est conçu pour avoir ses caractéristiques d'unijonction, telles que la résistance interbase (R_BB), le rapport d'impasse intrinsèque (η), le courant de vallée (IV) et le courant de pointe (IP), programmé en sélectionnant deux valeurs de résistance. Il est couramment utilisé dans les circuits de déclenchement des thyristors, des oscillateurs, de la génération d'impulsions et des circuits de synchronisation.

Les principales fonctionnalités incluent :

Programmabilité des caractéristiques d'unijonction.
Faible tension à l'état passant, ne dépassant généralement pas 1,5 V à un courant direct de 50 mA.
Courant de fuite grille-anode très faible, pas plus de 10 nA.
Tension de sortie de crête élevée, avec une valeur typique autour de 11 V.
Faible tension de décalage, environ 0,35 V typique lorsqu'une résistance de 10 kΩ est utilisée comme RG.
Cet appareil est disponible dans un boîtier TO-92, adapté aux applications à volume élevé et peut être utilisé dans un équipement d'insertion automatique en raison de sa compatibilité et de sa taille.

Pour les applications où une gâchette d'anode est disponible, le 2N6027 peut être utilisé dans des applications spéciales à thyristors. Il est également proposé dans des emballages sans plomb (Pb), répondant à des utilisations respectueuses de l'environnement.

Le 2N6027 est fabriqué par des sociétés comme ON Semiconductor et est reconnu pour sa polyvalence en permettant à l'ingénieur d'adapter le transistor aux spécifications nécessaires en sélectionnant des résistances externes appropriées.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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