2N60 Fiches technique, PDF - Datasheet Search Engine

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Index	2N60(2362) Résultats de recherche (s) pour.
Données correspondantes, Données similaires	82N60(1) 22N60(2) 12N60(15) 2N60(23) L2N60(1) I2N60(7) F2N60(7) B2N60(6) D2N60(6) E2N60(6) 2N60A(1) 2N60B(1) 2N60D(1) 2N60E(1) 2N60F(1) 2N60G(1) 2N60H(1) 2N60I(1) 2N60K(2) 2N60L(2) 2N60M(1) 2N60N(1) 2N60P(1) 2N60S(1) 2N60T(1) 2N60Z(1)
commençant par	2N60(944) 2N60-(20) 2N602(54) 2N603(118) 2N604(100) 2N605(137) 2N606(10) 2N607(103) 2N608(18) 2N609(26) 2N60A(1) 2N60B(1) 2N60D(7) 2N60E(3) 2N60F(4) 2N60G(70) 2N60H(1) 2N60K(62) 2N60L(164) 2N60M(6) 2N60N(3) 2N60Z(18)
terminant par	2N60(288) 02N60(35) D2N60(24) 12N60(62) F2N60(22) U2N60(15) B2N60(4) I2N60(6) P2N60(17) S2N60(3) 32N60(4) V2N60(2) T2N60(5) M2N60(4) 42N60(1) R2N60(3) W2N60(3) L2N60(4) 22N60(9) Q2N60(1) 72N60(2) J2N60(2) A2N60(1) Y2N60(2) X2N60(1) E2N60(1) K2N60(1) 82N60(1) *52N60(2)
incluant	2N60(1102) 2N60A(3) 2N60C(2) 2N60D(2) 2N60G(18) 2N60H(9) 2N60K(7) 2N60L(18) 2N60S(6) 2N60_(6)

Fabricant

2N60 Fiches technique, PDF

Numéro de pièce trouvée : Résultats correspondant à & commançant par le terme sont "2N60" - Totale : 972 ( 1/49 Page)

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Unisonic Technologies	2N60	142Kb/8P	2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET
Estek Electronics Co. L...	2N60	573Kb/5P	N2 Amps竊?00Volts N-Channel MOSFET
Unisonic Technologies	2N60	224Kb/6P	2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
Unisonic Technologies	2N60	245Kb/6P	2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET
Nell Semiconductor Co.,...	2N60	391Kb/8P	N-Channel Power MOSFET
Inchange Semiconductor ...	2N60	157Kb/2P	Fast Switching
Chongqing Pingwei Enter...	2N60	201Kb/2P	2A mps,600 Volts N-CHANNEL MOSFET
DIYI Electronic Technol...	2N60	1Mb/9P	600V N-Channel Power MOSFET
Zibo Seno Electronic En...	2N60	450Kb/6P	N-CHANNEL MOSFET
Inchange Semiconductor ...	2N60	316Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
SUNMATE electronic Co.,...	2N60	2Mb/8P	N-CHANNEL POWER MOSFET
ARTSCHIP ELECTRONICS CO...	2N60	389Kb/7P	N-CHANNEL MOSFET
VBsemi Electronics Co.,...	2N60	1Mb/9P	Power MOSFET
Jiangsu High diode Semi...	2N60	2Mb/3P	TO-251 Plastic-Encapsulate MOSFET
Guangdong Kexin Industr...	2N60	60Kb/2P	N-Channel MOSFET
Jiangsu Donghai Semicon...	2N60	1Mb/13P	2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
	2N60	1Mb/13P	2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
	2N60	1Mb/13P	2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
	2N60	1Mb/13P	2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
	2N60	1Mb/13P	2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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Brève description de 2N60

Le 2N60 est un MOSFET à N-canal qui est optimisé pour les applications de puissance haute tension, offrant des fonctionnalités telles que la commutation rapide, la charge de porte faible et une faible résistance à l'État. Il est également conçu pour résister à des conditions d'avalanche robustes. Ces caractéristiques le rendent couramment utilisé dans les alimentations, les commandes de moteurs PWM, les convertisseurs CC vers DC et les circuits de pont.

Voici un résumé des caractéristiques du 2N60:

Égoutter la tension de la source (V_DSS): il peut tolérer jusqu'à 600 V, ce qui est la tension maximale entre le drain et la source lorsque le MOSFET est désactivé.

Vension de porte à source (V_GSS): Il prend en charge une tension de porte à source de ± 30V.

Courant de drain (I_D): le 2N60 peut maintenir un courant de drain de 2A, indiquant le courant maximum qui peut circuler à travers la borne de drainage en continu.

Dissipation de puissance (P_D): il a une cote de dissipation de puissance de 23W, dictant la quantité de puissance qu'il peut gérer avant de dépasser la température maximale de la jonction.

Température de la jonction (T_J): La température de la jonction de fonctionnement peut atteindre jusqu'à 150 ° C.

Température de stockage (T_STG): Le composant peut être stocké à des températures allant de -55 à + 150 ° C.

Pour des implémentations spécifiques, l'appareil offre une faible résistance sur 3,8Ω à un V_GS de 10V. La charge de porte basse (typique à 9,0NC) et la faible capacité de transfert inverse (CRSS = 5,0 pf typiques) facilitent la commutation rapide et l'efficacité améliorée. Ces spécifications visent à garantir que le MOSFET peut fournir les performances requises dans les tâches de gestion de l'alimentation avec efficacité et fiabilité.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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