2N5401 Fiches technique, PDF - Datasheet Search Engine

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Données correspondantes, Données similaires	G2N5401(2) H2N5401(1) L2N5401(1) 2N5401(42) 2N5401C(2) 2N5401G(2) 2N5401N(1) 2N5401S(4) 2N5401U(1)
commençant par	2N5401(92) 2N5401-(22) 2N5401C(3) 2N5401D(1) 2N5401G(9) 2N5401H(1) 2N5401L(29) 2N5401R(10) 2N5401S(3) 2N5401T(1) 2N5401Z*(3)
terminant par	2N5401(7) T2N5401(2) *-2N5401(1)
incluant	2N5401(26)

Fabricant

2N5401 Fiches technique, PDF

Numéro de pièce trouvée : Résultats correspondant à & commançant par le terme sont "2N5401" - Totale : 140 ( 1/7 Page)

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
SEMTECH ELECTRONICS LTD...	2N5401	197Kb/3P	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors
NXP Semiconductors	2N5401	43Kb/8P	PNP high-voltage transistor 1999 Apr 08
Samsung semiconductor	2N5401	76Kb/2P	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Semtech Corporation	2N5401	124Kb/2P	PNP Silicon Expitaxial Planar Transistor for general purpose, high voltage amplifier applications???
ON Semiconductor	2N5401	83Kb/6P	Amplifier Transistors PNP Silicon December, 2005 ??Rev. 1
ON Semiconductor	2N5401	69Kb/6P	Amplifier Transistors May, 2004 ??Rev. 1
KEC(Korea Electronics)	2N5401	145Kb/2P	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, HIGH VOLTAGE)
Micro Electronics	2N5401	165Kb/2P	COMPLEMENTARY SILICON GENERAL PURPOSE HIGH VOLTAGE TRANSISTORS
AUK corp	2N5401	202Kb/3P	PNP Silicon Transistor (General purpose amplifier High voltage application)
Boca Semiconductor Corp...	2N5401	144Kb/5P	AMPLIFIER TRANSISTOR PNP SILICON
Central Semiconductor C...	2N5401	59Kb/1P	Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued)
Weitron Technology	2N5401	720Kb/4P	PNP Transistors
Fairchild Semiconductor	2N5401	109Kb/4P	PNP General Purpose Amplifier
Unisonic Technologies	2N5401	52Kb/4P	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
Diotec Semiconductor	2N5401	106Kb/2P	General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
TRANSYS Electronics Lim...	2N5401	67Kb/2P	Plastic-Encapsulated Transistors
Dc Components	2N5401	213Kb/1P	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
SeCoS Halbleitertechnol...	2N5401	166Kb/1P	PNP Transistor Plastic-Encapsulate Transi stors
Daya Electric Group Co....	2N5401	136Kb/2P	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
SeCoS Halbleitertechnol...	2N5401	343Kb/2P	PNP Plastic Encapsulated Transistor

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Brève description de 2N5401

2N5401 est un petit transistor de jonction bipolaire PNP signal qui est couramment utilisé pour l'amplification, la commutation et la régulation de tension dans les circuits électroniques. Il a une note de courant de collecteur maximum de 600 mA et une tension collective-émitte maximale de 150 V.

Le transistor 2N5401 est logé dans un package TO-92 à travers, qui est facile à installer et offre de bonnes performances thermiques.

Le transistor 2N5401 est couramment utilisé dans une gamme d'applications électroniques, y compris l'amplification audio, la régulation de tension et la faible commutation de puissance. Il est bien adapté à une utilisation dans des dispositifs portables et alimentés par batterie en raison de ses besoins de faible puissance et de sa petite taille.

Equivalent pour 2N5401

Le 2N5401 est un transistor PNP à usage général couramment utilisé dans les applications audio et de commutation. Il a un courant de collecteur maximal de 600 mA et une tension collective-émetteur maximale de 150 V.

Un remplacement approprié pour le 2N5401 serait tout autre transistor PNP avec des spécifications similaires. Voici quelques exemples:

BC557: Il s'agit d'un transistor PNP avec un courant de collecteur maximal de 100 mA et une tension collective-émetteur maximale de 45V. Il est couramment utilisé dans les applications de faible puissance et est un bon remplacement pour le 2N5401 dans de nombreux cas.

TIP42C: Il s'agit d'un transistor PNP avec un courant de collecteur maximum de 6A et une tension collective-émetteur maximale de 100 V. Il a des capacités de gestion de puissance plus élevées que le 2N5401 et peut être utilisé dans des applications où des courants et des tensions plus élevés sont nécessaires.

MPSA92: Il s'agit d'un transistor PNP avec un courant de collecteur maximal de 500 mA et une tension collective-émetteur maximale de 300V. Il a des spécifications similaires au 2N5401 et peut être utilisé comme remplacement de dépassement dans la plupart des applications.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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