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TIP3055 Fiches technique, PDF

Numéro de pièce trouvée : Résultats correspondant à & commançant par le terme sont "TIP3055" - Totale : 22 ( 1/2 Page)
FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
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ON Semiconductor
TIP3055 ONSEMI-TIP3055 Datasheet
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Complementary Silicon Power Transistors
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POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
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TIP3055 ISC-TIP3055 Datasheet
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isc Silicon NPN Power Transistor
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SILICON POWER TRANSISTORS
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TIP3055F CDIL-TIP3055F Datasheet
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TO-3P Fully Isolated Plastic Package Transistor CDIL
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TRANSYS Electronics Lim...
TIP3055F TEL-TIP3055F Datasheet
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POWER TRANSISTORS
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ON Semiconductor
TIP3055G ONSEMI-TIP3055G Datasheet
114Kb/6P
Complementary Silicon Power Transistors
May, 2012 ??Rev. 7
TIP3055G ONSEMI-TIP3055G Datasheet
114Kb/6P
Complementary Silicon Power Transistors
May, 2012 ??Rev. 7
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TIP3055HVF CDIL-TIP3055HVF Datasheet
89Kb/2P
TO-3P Fully Isolated Plastic Package Transistor CDIL

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12



TIP3055 Fiches technique, PDF [revendeur]

revendeurNo de pièce Fabricant
Fiches technique
DescriptionBuy Now
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Element14
TIP3055

part
MULTICOMP PRO

TRANSISTOR, NPN, TO-247; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition...

TIP3055 revendeur

revendeurNo de pièceFabricantDescriptionPriceQty.
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Brève description de TIP3055


Le TIP3055 est un transistor de jonction bipolaire (BJT) NPN (négatif positif négatif) connu pour son utilisation dans l'amplification de puissance et les applications de commutation haute puissance. Il fait partie de la série Tip de transistors et est couramment utilisé pour conduire des charges comme les moteurs, les relais et autres applications à courant élevé. Voici quelques caractéristiques et spécifications clés du transistor TIP3055:

Polarité: configuration du transistor NPN, ce qui signifie qu'il amplifie le courant lorsqu'un petit courant circule de la base à l'émetteur.

Courant du collecteur maximum (IC): Le TIP3055 est généralement évalué pour un courant de collecteur maximal d'environ 15A à 25A, selon le modèle et le fabricant spécifiques.

Tension de collection-émetteur maximale (VCEO): La cote VCEO est généralement d'environ 60 V à 100 V, indiquant la tension maximale qu'il peut gérer entre le collecteur et les bornes d'émetteur lorsque la base est ouverte.

Gain (HFE ou Beta): Le gain, désigné comme HFE ou Beta, est le facteur d'amplification du transistor et se situe généralement dans la plage de 20 à 70.

Dissie élevée: le TIP3055 est conçu pour gérer une dissipation de puissance relativement élevée, ce qui le rend adapté aux applications de haute puissance.

Emballage: Le TIP3055 est couramment disponible dans un emballage à 218 ou à 247, qui offre de bonnes performances thermiques et facilite le montage aux dissipateurs thermiques pour le refroidissement.

Applications: Le transistor TIP3055 est largement utilisé dans les applications nécessitant une commutation et une amplification de haute puissance, y compris les amplificateurs de puissance, le contrôle du moteur, les alimentations, etc.

Dissie de chaleur: Le TIP3055 peut générer de la chaleur pendant le fonctionnement, donc une bonne gestion de la chaleur, y compris la consommation de chaleur, peut être nécessaire pour que les applications de haute puissance assurent un fonctionnement sûr.

Configuration de la paire Darlington: le TIP3055 est souvent utilisé dans le cadre d'une configuration de la paire Darlington pour amplifier davantage le courant et fournir un gain de courant élevé.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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