Bridge Diode

■外観図　OUTLINE

外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下

さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。

For details of outline dimensions, refer to our web site or the Semiconductor

Short Form Catalog. As for the marking, refer to the specification “Marking,

Terminal Connection”.

特 長

（J534-1）

36

SQ I P 型

Square In-line Package

S10VB60

600V 10A

• 耐湿性に優れ高信頼性

• 高耐熱性

• High-Reliability

• Heat Resistance

Feature

Package

：S10VB

Unit : mm

Weight : 8g（typ.）

22

22

25

7.5

③

∼

−

④

∼

②

①

＋

ロット記号（例）

Date code

品名

Type No.

+

①

③

②

④

■定格表　RATINGS

S10VB60

単位

Unit

−40∼150

MAX

1.05

MAX

10

MAX

2.8

℃

℃

V

A

A

k

V

N・m

V

μA

℃/W

項  目

Item

記号

Symbol

条 件

Conditions

品 名

Type No.

保存温度

Storage Temperature

接合部温度

Operation Junction Temperature

せん頭逆電圧

Maximum Reverse Voltage

出力電流

Average Rectified Forward Current

せん頭サージ順電流

Peak Surge Forward Current

電流二乗時間積

Current Squared Time

絶縁耐圧

Dielectric Strength

締め付けトルク

Mounting Torque

順電圧

Forward Voltage

逆電流

Reverse Current

熱抵抗

Thermal Resistance

TOR

θjl

フィン付き

With heatsink

フィンなし

Without heatsink

パルス測定，１素子当たりの規格値

Pulse measurement, per diode

パルス測定，１素子当たりの規格値

Pulse measurement, per diode

接合部・リード間

Junction to Lead

50Hz 正弦波，抵抗負荷， Ta = 40℃

50Hz sine wave,

Resistance load, Ta = 40℃

θfa=2.4℃/W

50Hz 正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値， Tj = 25℃

50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃

1ms≦t＜10ms，Tj = 25℃，

一括端子・ケース間，AC１分間印加

Terminals to Case, AC 1 minute

（推奨値：0.5 N・m）

（Recommended torque : 0.5 N・m）

150

600

10

3.7

200

110

2

0.8

１素子当たりの規格値

per diode

）