N79E815 datasheet(7/179 Pages) ETC2

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N79E815A/814A/8132A 中文规格书

2016年2月20日

第7页总179页

版本 V3.00

特性

 内核



全静态8位CMOS加速51(4T) CMOS微控制器



指令与MCS-51兼容

 工作电压范围



VDD = 4.5V to 5.5V @ FOSC 最高至 24MHz



VDD = 3.0V to 5.5V @ 内部 RC 22.1184MHz



VDD = 2.4V to 5.5V @ FOSC = 12MHz 或内部 RC 11.0592MHz

 工作温度范围



-40

C ~85C

 时钟源



高速外部振荡器:

最高24 MHz 晶振和振荡器 (由配置位CONFIG使能)



内部RC 振荡器: 22.1184MHz/11.0592MHz (由配置位CONFIG选择)

在 V

DD = 5V 温度 25C 条件下精度为 1%

在 V

DD = 2.7V ~ 5.5V 温度 25C 条件下精度为 3%

在 V

DD = 2.7V ~ 5.5V 温度 -10C~+70C 条件下精度为 5%

在 V

DD = 2.7V ~ 5.5V 温度 -40C ~ 85C 条件下精度为 8%



CPU时钟源由配置位CONFIG决定，仅在编程器烧写代码时更改



8-位可编程的CPU时钟除频器 (DIVM)

 芯片内存



FLASH 擦写/编程次数 100,000次



N79E815A ：总共 16K-字节分别用于APROM程序闪存存储器加数据闪存存储器

（由配置位定义各自容量）



N79E814A：8K字节APROM 程序闪存存储器和 4K-字节数据闪存存储器



N79E8132A：4K字节 APROM 程序闪存存储器和 4K-字节数据闪存存储器



APROM闪存存储器/ LDROM闪存存储器和数据闪存存储器都可加密保护



全部闪存存储器区域128字节为一页



256 字节片上直接/间接RAM



256 字节MOVX-RAM, 用指令MOVX 访问.



2K-字节LD 闪存存储器用于ISP功能(LDROM)



片上闪存存储器可用以下方式编程

通用 H/W 烧录器模式

串行方式在电路编程模式 (ICP)

软件执行ISP (在线编程)

 I/O端口



根据不同封装，最多 25个 I/O端口



除P1.2和P1.3外，所有引脚支持由软件配置的4种不同模式

N79E815 Fiches technique(PDF) 7 Page - List of Unclassifed Manufacturers

N79E815 Fiches technique(HTML) 7 Page - List of Unclassifed Manufacturers

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