2SC5621 datasheet(2/5 Pages) ETC

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直流電流増幅率−コレク

100

1000

0.1

100

コレクタ電流 IC

Ta=25℃

VCE=5V

エミッタ接地伝達

0.001

0.01

0.1

100

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

ベース・エミッタ間電圧 V

Ta=25℃

VCE=5

利得帯域幅積−コレク

0.10

1.00

10.00

0.1

1.010.0

100.0

コレクタ電流 IC

Ta=25℃

VCE=5

電力利得−コレクタ

0.00

2.00

4.00

6.00

8.00

10.00

12.00

14.00

16.00

18.00

20.00

0.11.010.0

100.0

コレクタ電流 IC

Ta=25

VCE=5

f=0.5GH

f=1.0GH

コレクタ出力容量−

コレクタ・ベース間電圧特性

0.1

1.0

10.0

0.1

100

コレクタ・ベース間電圧 V

(V)

Ta=25℃

IE=0mA

f=1MHz

雑音指数−コレクタ電流特性

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

100

コレクタ電流 I

(mA)

Ta=25℃

VCE=5V

f=1.0GHz

DC FORWARD CURRENT GAIN

VS. COLLECTOR CURRENT

COLLECTOR CURRENT

IC(mA)

GAIN BANDWIDTH PRODUCT

VS. COLLECTOR CURRENT

COLLECTOR CURRENT

IC(mA)

COMMON EMITTER TRANSFER

BASE TO EMITTER VOLTAGE

VBE(V)

POWER GAIN VS. COLLECTOR CURRENT

COLLECTOR CURRENT

IC(mA)

COLLECTOR OUTPUT CAPACITANCE

VS. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE

COLLECTOR TO BASE VOLTAGE

VCB(V)

NOISE FIGURE VS. COLLECTOR CURRENT

COLLECTOR CURRENT

IC(mA)

2SC5621

〈SMALL-SIGNAL TRANSISTOR〉

FOR HIGH FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION

SILICON NPN EPITAXIAL TYPE

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