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IPD65R660CFDA Fiches technique(PDF) 7 Page - Infineon Technologies AG |
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IPD65R660CFDA Fiches technique(HTML) 7 Page - Infineon Technologies AG |
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7 / 14 page ![]() 7 650VCoolMOS™CFDAPowerTransistor IPD65R660CFDA Rev.2.1,2014-11-19 Final Data Sheet Table7Reversediodecharacteristics Values Min. Typ. Max. Parameter Symbol Unit Note/TestCondition Diode forward voltage VSD 0.9 V VGS=0V,IF=3.21825A,Tj=25°C Reverse recovery time trr 65 ns VR=400V,IF=3.2A, diF/dt=100A/µs (see table 8) Reverse recovery charge Qrr 0.2 µC Peak reverse recovery current Irrm 4.5 A |
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