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10N65 Fiches technique(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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10N65 Fiches technique(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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1 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc website : : : :www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 1 isc N-Channel Mosfet Transistor 10N65 · · · ·FEATURES ·Drain Current –ID= 10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.86Ω(Max) ·Avalanche Energy Specified ·Fast Switching ·Simple Drive Requirements · · · ·DESCRITION ·Designed for high efficiency switch mode power supply. · · · ·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃ ℃ ℃ ℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VDSS Drain-Source Voltage 650 V VGS Gate-Source Voltage-Continuous ±30 V ID Drain Current-Continuous 10 A IDM Drain Current-Single Plused 38 A PD Total Dissipation @TC=25℃ 156 W Tj Max. Operating Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55~150 ℃ · · · ·THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-c Thermal Resistance, Junction to Case 0.8 ℃/W Rth j-a Thermal Resistance, Junction to Ambient 62.5 ℃/W |
Numéro de pièce similaire - 10N65 |
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Description similaire - 10N65 |
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