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SIR770DP Fiches technique(PDF) 5 Page - Vishay Telefunken

No de pièce SIR770DP
Description  Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
PDF  18 Pages
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Fabricant  TFUNK [Vishay Telefunken]
Site Internet  http://www.vishay.com
Logo TFUNK - Vishay Telefunken

SIR770DP Fiches technique(HTML) 5 Page - Vishay Telefunken

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Document Number: 66818
S10-1923-Rev. A, 23-Aug-10
www.vishay.com
5
Vishay Siliconix
SiR770DP
CHANNEL-1 TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Threshold Voltage
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1
0.01
0.001
0.1
10
100
TJ = 25 °C
TJ = 150 °C
V
SD - Source-to-Drain Voltage (V)
- 0.8
- 0.6
- 0.4
- 0.2
0
0.2
0.4
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
ID =5mA
ID = 250 μA
T
J - Temperature (°C)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
02
4
6
8
10
ID =8A
TJ =25 °C
TJ = 150 °C
V
GS - Gate-to-Source Voltage (V)
0
14
28
42
56
70
10
1
1
0
0
.
00.01
Time (s)
0.1
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
100
1
0.1
1
10
100
0.01
10
0.1
TA =25 °C
Single Pulse
1s
10 s
Limited by RDS(on)*
BVDSS Limited
1ms
10 ms
DC
100 ms
V
DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V
GS > minimum VGS at which RDS(on) is specified



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