| Moteur de recherche de fiches techniques de composants électroniques |
|
MPS650 Fiches technique(PDF) 1 Page - Central Semiconductor Corp |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
MPS650 Fiches technique(HTML) 1 Page - Central Semiconductor Corp |
|
1 / 2 page ![]() GEOMETRY PROCESS DETAILS PRINCIPAL DEVICE TYPES CBCP68 CBCX68 CMPT651 CZT651 MPS650 MPS651 GROSS DIE PER 5 INCH WAFER 10,583 PROCESS CP314V Small Signal Transistor NPN - High Current Transistor Chip Process EPITAXIAL PLANAR Die Size 40 x 40 MILS Die Thickness 7.1 MILS Base Bonding Pad Area 7.9 x 8.7 MILS Emitter Bonding Pad Area 9.0 x 14 MILS Top Side Metalization Al - 30,000Å Back Side Metalization Au-As - 13,000Å www.centra lsemi.com R1 (22-March 2010) |
Numéro de pièce similaire - MPS650 |
|
Description similaire - MPS650 |
|
|
|
Lien URL |
| ALLDATASHEET vous a-t-il été utile ? [ DONATE ] |
À propos de Alldatasheet | Publicité | Contactez-nous | Politique de confidentialité | Lien vers la fiche technique | Echange de liens | Fabricants All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |