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4N30G-TN3-R Fiches technique(PDF) 1 Page - Unisonic Technologies |
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1 / 3 page ![]() UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 4N30 Power MOSFET www.unisonic.com.tw 1 of 3 Copyright © 2012 Unisonic Technologies Co., Ltd QW-R502-850.A 4A, 300V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 4N30 is an N-channel mode power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide customers with a minimum on-state resistance, low gate charge and superior switching performance. FEATURES * RDS(ON)<2Ω @ VGS=10V, ID=4A * High switching speed * Typically 3.2nC low gate charge * 100% avalanche tested SYMBOL ORDERING INFORMATION Ordering Number Package Pin Assignment Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 4N30L-TN3-R 4N30G-TN3-R TO-252 G D S Tape Reel 4N30L-TN3-T 4N30G-TN3-T TO-252 G D S Tube Note: Pin Assignment: G: Gate D: Drain S: Source |
Numéro de pièce similaire - 4N30G-TN3-R |
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Description similaire - 4N30G-TN3-R |
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