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12N10G-TN3-R Fiches technique(PDF) 3 Page - Unisonic Technologies

No de pièce 12N10G-TN3-R
Description  12A, 100V N-CHANNEL POWER MOSFET
PDF  5 Pages
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Fabricant  UTC [Unisonic Technologies]
Site Internet  http://www.utc-ic.com
Logo UTC - Unisonic Technologies

12N10G-TN3-R Fiches technique(HTML) 3 Page - Unisonic Technologies

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12N10
Preliminary
Power MOSFET
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
3 of 5
www.unisonic.com.tw
QW-R502-737.a
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Cont.)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN TYP MAX UNIT
SWITCHING PARAMETERS
(Note 1,2)
Total Gate Charge
QG
VGS=10V, VDD=80V, ID=12A
7.5
10
nC
Gate to Source Charge
QGS
2.5
nC
Gate to Drain Charge
QGD
3.0
nC
Turn-ON Delay Time
tD(ON)
VDD=30V, ID=1A, RG=9.1Ω,
VGS=10V (Fig. 1)
12
24
ns
Rise Time
tR
7
14
ns
Turn-OFF Delay Time
tD(OFF)
18
35
ns
Fall-Time
tF
3
6
ns
SOURCE- DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS
Maximum Body-Diode Continuous Current
IS
12
A
Maximum Body-Diode Pulsed Current
ISM
48
A
Drain-Source Diode Forward Voltage
(Note 1)
VSD
IS=12A, VGS=0V
1.2
V
Notes: 1. Pulsed: pulse duration=300µs, duty cycle 1.5%
2. Essentially independent of operating temperature



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