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BSM181R Fiches technique(PDF) 5 Page - Siemens Semiconductor Group |
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BSM181R Fiches technique(HTML) 5 Page - Siemens Semiconductor Group |
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5 / 7 page ![]() Semiconductor Group 61 Continuous drain current I D = f (TC) parameter: V GS ≥ 10 V, T j = 150 ˚C Drain source on-state resistance R DS(on) = f (T j) parameter: I D = 36 A; VGS = 10 V, (spread) Drain-source breakdown voltage V (BR)DSS (Tj) = b × V(BR)DSS (25 ˚C) Typical capacitances C = f (V DS) parameter: V GS = 0, f = 1 MHz BSM 181 BSM 181 R |
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