DAN601 / DAP601 (200 mW)

DAN601 / DAP601 (200 mW)

Small Signal Diode Arrays

Diodensätze mit Allzweckdioden

Version 2008-04-15

Dimensions - Maße [mm]

Nominal power dissipation

Nenn-Verlustleistung

200 mW

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

80 V

7-pin Plastic case

7-Pin Kunststoffgehäuse

18 x 3.5 x 6.6 [mm]

Weight approx. – Gewicht ca.

0.6 g

Standard packaging bulk

Standard Lieferform lose im Karton

“DAN” common cathodes / gemeinsame Kathoden

“DAP” common anodes / gemeinsame Anoden

Maximum ratings

Grenzwerte

Type

Typ

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

Surge peak reverse voltage

Stoßspitzensperrspannung

DAN601

80

80

DAP601

80

80

Max. average forward rectified current, R-load

for one diode operation only

for simultaneous operation

100 mA 2)

Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last

für eine einzelne Diode

bei gleichzeitigem Betrieb beider Dioden

Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave

Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle

500 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

-50...+150°C

-50...+150°C

1

Per diode – Pro Diode

2

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

© Diotec Semiconductor AG

http://www.diotec.com/

1

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5

3

1

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3

1

Ø 0.5

6 x 2.54

3.5

Type

Typ