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ZPY10 Fiches technique(PDF) 3 Page - Diotec Semiconductor

No de pièce ZPY10
Description  Silicon-Power-Zener Diodes (non-planar technology)
PDF  3 Pages
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Fabricant  DIOTEC [Diotec Semiconductor]
Site Internet  http://www.diotec.com
Logo DIOTEC - Diotec Semiconductor

ZPY10 Fiches technique(HTML) 3 Page - Diotec Semiconductor

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background image
ZPY1 ... ZPY200 (1.3 W)
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
3
120
100
80
60
40
20
0
[%]
P
tot
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
1
1
[°C]
T
A
150
100
50
0
10
10
1
10
10
2
-1
-2
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
0.4
V
F
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
T = 25°C
j
T = 125°C
j
30a-(1a-1.1v)
[pF]
[V]
C
j
V
Z
T = 25°C
f = 1.0 MHz
j
V = 0V
R
V = 4V
R
V = 20V
R
V = 40V
R
Junction capacitance vs. zener voltage (typical)
Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Zenerspg. (typ.)
Typ. thermal resistance vs lead length
Typ. therm. Widerst. in Abh. der Anschlusslänge
50
50
40
30
20
10
0
R
thL
[K/W]
[mm]
L
12
8
4
0
L
0
2
3
4
5
6
7
8
10
[V]
V
Z
[mA]
50
150
0
100
I
Z
Typical breakdown characteristic
Typische Abbruchspannung
– tested with pulses
– gemessen mit Impulsen
5,6
6,2
6,8
7,5
8,2
9,1
I
ZT
I
Zmax
1
T = 25°C
j
I = 5 mA
Z
10
18
24
30
36
43
51
62
56
68
75
82
91
100
T = 25°C
j
I
ZT
I
Zmax
Typical breakdown characteristic
Typische Abbruchspannung
– tested with pulses
– gemessen mit Impulsen



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