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MBR1045 Fiches technique(PDF) 2 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

No de pièce MBR1045
Description  SCHOTTKY BARRIER DIODE
PDF  7 Pages
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Fabricant  JSMC [JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.]
Site Internet  http://www.hwdz.com.cn
Logo JSMC - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

MBR1045 Fiches technique(HTML) 2 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

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background image
R
MBR1045
版本(Rev.):201003E
2/7
绝对最大额定值
ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
项
目
Parameter
符
号
Symbol
数
值
Value
单
位
Unit
最大反向重复峰值电压
Repetitive peak reverse voltage
VRRM
45
V
最大直流阻断电压
Maximum DC blocking voltage
VDC
45
V
正向平均整流电流
Average forward
current
TC=150℃
(TO-220)
TC=125℃
(TO-220BF,
TO-220HF)
整个器件
per device
单
侧
per diode
IF(AV)
10
5
A
正向峰值浪涌电流
Surge non repetitive
forward current
（额定负载 8.3ms 半正弦波—按 JEDEC 方法）
8.3 ms single half-sine-wave (JEDEC Method)
IFSM
80
A
最高结温
Maximum junction temperature
Tj
150
℃
储存温度
Storage temperature range
TSTG
-40~+150
℃
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
热特性 THERMAL CHARACTERISTICS
项
目
Parameter
符
号
Symbol
最小值
Value(min)
最大值
Value(max)
单
位
Unit
结到管壳的热阻
Thermal resistance from
junction to case
TO-220
TO-220BF
TO-220HF
Rth(j-c)
1.9
2.5
2.5
/W
℃
项
目
Parameter
测试条件
Tests conditions
最小值
Value(min)
典型值
Value(typ)
最大值
Value(max)
单位
Unit
Tj =25℃
50
μA
IR
Tj =125℃
VR=VRRM
50
mA
Tj =25℃
0.52
0.58
V
VF
Tj =125℃
IF=5A
0.48
V



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