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3DD13001S-O-T-B-A Fiches technique(PDF) 2 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

No de pièce 3DD13001S-O-T-B-A
Description  HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
PDF  5 Pages
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Fabricant  JSMC [JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.]
Site Internet  http://www.hwdz.com.cn
Logo JSMC - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

3DD13001S-O-T-B-A Fiches technique(HTML) 2 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

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background image
R
3DD13001S
版本：
200910D
2/5
绝对最大额定值
ABSOLUTE RATINGS
(Tc=25℃)
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项
目
Parameter
符
号
Symbol
最小值
Value(min)
最大值
Value(max)
单
位
Unit
结到环境的热阻
TO-92
Thermal Resistance Junction Case TO-92
Rth(j-a)
-
125
/W
℃
项
目
Parameter
符
号
Symbol
数
值
Value
单
位
Unit
集电极
—发射极直流电压
Collector- Emitter Voltage（VBE=0） VCES
600
V
集电极
—发射极直流电压
Collector- Emitter Voltage（IB=0）
VCEO
400
V
发射极
—基极直流电压
Emitter-Base Voltage
VEBO
9
V
最大集电极直流电流
Collector Current（DC）
IC
0.5
A
最大集电极脉冲电流
Collector Current（pulse）
ICP
1
A
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-92)
PC
1
W
最高结温
Junction Temperature
Tj
150
℃
贮存温度
Storage Temperature
Tstg
-55~+150
℃
项
目
Parameter
测试条件
Tests conditions
最小值
Value(min)
典型值
Value(typ)
最大值
Value(max)
单位
Unit
V(BR)CEO
Ic=10mA,IB=0
400
470
-
V
V(BR)CBO
Ic=1mA,IB=0
600
830
-
V
V(BR)EBO
IE=1mA,Ic=0
9
14
-
V
ICBO
VCB=580V, IE=0
-
-
5
μA
ICEO
VCE=390V,IB=0
-
-
10
μA
IEBO
VEB=9V, IC=0
-
-
5
μA
hFE
VCE=20V, IC=20mA
10
20
40
-
IC=0.05A, IB=5mA
-
0.4
0.5
V
VCE(sat)
IC=0.1A, IB=10mA
-
0.3
1.0
V
VBE(sat)
IC=0.05A, IB=5mA
-
0.8
1.2
V
tf
-
-
0.7
μS
ts
VCC=24V IC=0.1A,IB1=-IB2=0.02A
-
-
4
μS
fT
VCE=10V, Ic=0.02A
4
-
-
MHz



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