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SSM4409GEM Fiches technique(PDF) 4 Page - Silicon Standard Corp.

No de pièce SSM4409GEM
Description  P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
PDF  5 Pages
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Fabricant  SSC [Silicon Standard Corp.]
Site Internet  http://www.siliconstandard.com
Logo SSC - Silicon Standard Corp.

SSM4409GEM Fiches technique(HTML) 4 Page - Silicon Standard Corp.

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08/04/2007 Rev.1.00
www.SiliconStandard.com
4
SSM4409GEM
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Transfer Characteristics
Fig 12. Gate Charge Waveform
Q
VG
-4.5V
QGS
QGD
QG
Charge
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t , Pulse Width (s)
PDM
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthja + Ta
Rthja=125
oC/W
t
T
0.02
0.01
0.05
0.1
0.2
Duty factor=0.5
Single Pulse
0
20
40
60
012345
-V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
T j =150
o C
T j =25
o C
V DS =-5V
0
4
8
12
16
0
30
60
90
120
Q G , Total Gate Charge (nC)
I D = - 14A
V DS = - 30 V
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
T A =25
o C
Single Pulse
1ms
10ms
100ms
1s
DC
100
1000
10000
1
5
9
131721
2529
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
f=1.0MHz
C iss
C oss
C rss



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