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SSM95T07GP Fiches technique(PDF) 4 Page - Silicon Standard Corp.

No de pièce SSM95T07GP
Description  N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
PDF  6 Pages
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Fabricant  SSC [Silicon Standard Corp.]
Site Internet  http://www.siliconstandard.com
Logo SSC - Silicon Standard Corp.

SSM95T07GP Fiches technique(HTML) 4 Page - Silicon Standard Corp.

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background image
07/11/2007 Rev.1.00
www.SiliconStandard.com
4
SSM95T07GP
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
0
2
4
6
8
10
12
14
0
20
40
60
80
100
120
Q G , Total Gate Charge (nC)
V DS =40 V
V DS =48 V
V DS =64 V
I D =80 A
td(on) tr
td(off) tf
VDS
VGS
10%
90%
Q
VG
10V
QGS
QGD
QG
Charge
100
1000
10000
1
5
9
1317
2125
29
V DS ,Drain-to-Source Voltage (V)
f=1.0MHz
C iss
C oss
C rss
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t , Pulse Width (s)
PDM
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
t
T
0.02
0.01
0.05
0.1
0.2
Duty factor=0.5
Single Pulse
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
1000
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
T c =25
o C
Single Pulse
100us
1ms
10ms
100ms
DC



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