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SSM95T06GS Fiches technique(PDF) 4 Page - Silicon Standard Corp.

No de pièce SSM95T06GS
Description  N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFET
PDF  5 Pages
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Fabricant  SSC [Silicon Standard Corp.]
Site Internet  http://www.siliconstandard.com
Logo SSC - Silicon Standard Corp.

SSM95T06GS Fiches technique(HTML) 4 Page - Silicon Standard Corp.

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www.SiliconStandard.com
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SSM95T06GP,S
2/16/2005 Rev.1.10
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Transfer Characteristics
Fig 12. Gate Charge Waveform
0
2
4
6
8
10
12
0
20
40
60
80
100
120
Q G , Total Gate Charge (nC)
V DS =30 V
V DS =38 V
V DS =48 V
I D =45 A
Q
VG
4.5V
QGS
QGD
QG
Charge
100
1000
10000
1
5
9
131721
2529
V DS ,Drain-to-Source Voltage (V)
f=1.0MHz
C iss
C oss
C rss
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t , Pulse Width (s)
PDM
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
t
T
0.02
0.01
0.05
0.1
0.2
Duty factor=0.5
Single Pulse
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
1000
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
T c =25
o C
Single Pulse
100us
1ms
10ms
100ms
DC
0
26
52
78
104
130
02
46
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
T j =150
o C
T j =25
o C
V DS =5V



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