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SS6611GOTR Fiches technique(PDF) 14 Page - Silicon Standard Corp. |
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14 / 16 page ![]() www.SiliconStandard.com 14 of 16 SS6610/11G 4/21/2006 Rev.3.01 Fig. 35. Top layer Fig. 36. Bottom layer Fig. 37. Placement R1 R2 R3 R4 100K R6 VIN LBI LBO VIN R5=0 Ω, R6=open; for V OUT=3.3V R5=open, R6=0 Ω; for V OUT=5.0V VOUT=1.23(1+R5/R6); for adjustable output voltage L1 22 µH C2 100 µF C3 0.1 µF R7 10k + C6 100 µF C5 0.1 µF R5 + FB 1 LBI 2 LBO 3 REF 4 SHDN 5 GND 6 LX 7 OUT 8 SS6610/11 C4 100nF VOUT ShutDown C1 100 µF + C7 100 µF + C8 100 µF + + L1: TDK SLF7045T-22OMR90 C1~C2, C6~8: NIPPON Tantalum Capacitor 6MCM107MCTER Fig. 38 SS6610/11 application circuit with small ripple voltage. Fig. 39 Efficiency (ref. to Fig.38) Output Current (mA) 0.01 0.1 1 10 100 1000 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80 85 90 95 100 VOUT=5.0V L=22 µH VIN=1.2V VIN=2.4V VIN=3.6V SS6610 (ILIMIT =1A) Fig. 40 Ripple Voltage (ref. to Fig.38) Output Current (mA) 0 100 200 300 400 500 600 700 0 10 20 30 40 50 60 VOUT=5.0V L=22 µH VIN=2.4V VIN=3.6V VIN=1.2V SS6610 (ILIMIT =1A) IIIIIIIIIIIIIIIIIIIII IIIIIIIIIIIIIIIIIIIII IIIIIIIIIIIIIIIIIIIII IIIIIIIIIIIIIIIIIIIII IIIIIIIIIIIIIIIIIIIII IIIIIIIIIIIIIIIIIIIII IIIIIIIIIIIIIIIIIIIII |
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