STT8205S datasheet(4/4 Pages) SECOS

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STT8205S Fiches technique(PDF) 4 Page - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

No de pièce	STT8205S

Description	N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET

PDF	4 Pages

Scroll/Zoom	100%

Fabricant	SECOS [SeCoS Halbleitertechnologie GmbH]

Site Internet	http://www.secosgmbh.com

Logo

4 / 4 page

Fig 7. Gate Charge Characteristics

Fig 8. Typical Capacitance Characteristics

Fig 9. Maximum Safe Operating Area

Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance

Fig 11. Switching Time Waveform

Fig 12. Gate Charge Waveform

180 /W

Elektronische Bauelemente

STT8205S

6 A, 20V,RDS(ON) 28m

N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET

http://www.SeCoSGmbH.com/

Any changing of specification will not be informed individual

01-Jun-2002 Rev. A

Page

4 o f

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