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STT6601 Fiches technique(PDF) 6 Page - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH |
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STT6601 Fiches technique(HTML) 6 Page - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH |
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6 / 6 page ![]() Elektronische Bauelemente STT6601 (N-Ch) 2.8 A, 30 V, RDS(ON) 68 m Ω (P-Ch) -2.8 A, -30 V, RDS(ON) 120 m Ω N & P-Channel Enhancement Mode Mos.FET 01-June-2007 Rev. C Page 6 of 6 |
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