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BAS86 Fiches technique(PDF) 2 Page - Vishay Siliconix

No de pièce BAS86
Description  Small Signal Schottky Diode
PDF  5 Pages
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Fabricant  VISHAY [Vishay Siliconix]
Site Internet  http://www.vishay.com
Logo VISHAY - Vishay Siliconix

BAS86 Fiches technique(HTML) 2 Page - Vishay Siliconix

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www.vishay.com
2
Document Number 85511
Rev. 1.7, 03-Mar-06
BAS86
Vishay Semiconductors
Electrical Characteristics
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
Typical Characteristics
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Test condition
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
Reverse breakdown voltage
IR = 10 µA (pulsed)
V(BR)
50
V
Leakage current
VR = 40 V
IR
5µA
Forward voltage
Pulse test tp < 300 µs,
IF = 0.1 mA, δ < 2 %
VF
200
300
mV
Pulse test tp < 300 µs,
IF = 1 mA, δ < 2 %
VF
275
380
mV
Pulse test tp < 300 µs,
IF = 10 mA, δ < 2 %
VF
365
450
mV
Pulse test tp < 300 µs,
IF = 30 mA, δ < 2 %
VF
460
600
mV
Pulse test tp < 300 µs,
IF = 100 mA, δ < 2 %
VF
700
900
mV
Diode capacitance
VR = 1 V, f = 1 MHz
Ctot
8pF
Reverse recovery time
IF = 10 mA, IR = 10 mA,
Irr = 1 mA,
trr
5ns
Figure 1. Max. Reverse Power Dissipation vs. Junction
Temperature
Figure 2. Reverse Current vs. Junction Temperature
15827
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
25
50
75
100
125
150
Tj -Junction Temperature (°C)
- Limit
at 100 %V
PR
R
- Limit
at 80 %V
PR
R
RthJA = 540 K/W
VR =50 V
1
10
100
1000
10000
25
50
75
100
125
150
15828
Tj -Junction Temperature (°C)
VR = VRRM
Figure 3. Forward Current vs. Forward Voltage
Figure 4. Diode Capacitance vs. Reverse Voltage
15829
0
0.5
1.0
1.5
0.1
1
10
100
1000
VF - Forward Voltage (V)
Tj = 25 °C
Tj = 150 °C
15830
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.1
1
10
100
f=1MHz
VR -Reverse Voltage (V)



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