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BCR10CS Fiches technique(PDF) 12 Page - Renesas Technology Corp |
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12 / 12 page ![]() Mar. 2002 The product guaranteed maximum junction temperature 150 °C (See warning.) MITSUBISHI SEMICONDUCTOR 〈TRIAC〉 BCR10CS MEDIUM POWER USE NON-INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE C1 C1 = 0.1~0.47 µF R1 = 47~100 Ω C0 = 0.1 µF R0 = 100 Ω C0 R0 R1 6 Ω 6 Ω 6 Ω 6V 6V 6V RG RG RG A V A V A V LOAD RECOMMENDED CIRCUIT VALUES AROUND THE TRIAC TEST PROCEDURE 1 TEST PROCEDURE 3 TEST PROCEDURE 2 GATE TRIGGER CHARACTERISTICS TEST CIRCUITS |
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