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IXFK32N100Q3 Fiches technique(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited

No de pièce IXFK32N100Q3
Description  isc N-Channel MOSFET Transistor
PDF  3 Pages
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Fabricant  ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
Site Internet  http://www.iscsemi.cn
Logo ISC - Inchange Semiconductor Company Limited

IXFK32N100Q3 Fiches technique(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited

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background image
isc N-Channel MOSFET Transistor
IXFK32N100Q3
www.iscsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS（TC=25℃ unless otherwise specified）
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
V(BR)DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
VGS= 0V; ID= 3mA
1000
--
--
V
VGS(th)
Gate Threshold Voltage
VDS= VGS; ID= 8mA
3.5
--
6.5
V
RDS(on)
Drain-Source Saturation Voltage
VGS= 10V; ID= 16A
--
--
320
mΩ
IGSS
Gate-Body Leakage Current
VGS=±30V; VDS= 0V
--
--
±
200
nA
IDSS
Zero Gate Voltage Drain Current
VDS= 1000V; VGS= 0V
--
--
50.0
uA
VSD
Diode Forward Voltage
IS= 32.0A; VGS= 0V
--
--
1.4
V
gfs
Forward Transconductance
VDS=20V,ID=16A
20
--
--
S
Ciss
Input Capacitance
VGS=0V
VDS=25V
f=1.0MHz
--
11000
--
pF
Coss
Output Capacitance
--
800
--
Crss
Reverse Transfer Capacitance
--
75
--
td(ON)
Turn-on Delay Time
ID=16A,VDD=500V
VGS=10V,Rg=1Ω
--
45
--
ns
tr
Rise Time
--
15
--
td(OFF)
Turn-Off Delay Time
--
55
--
tf
Fall Time
--
12
--
Qg
Total Gate Charge
ID=16A
VDD=500V
VGS=10V
--
200
--
nC
Qgs
Gate to Source Charge
--
60
--
Qgd
Gate to Drain Charge
--
80
--
trr
Reverse Recovery Time
S=16A,Tj=25℃
di/dt=100A/μs,VR=100V
--
--
290
ns



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