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AP50G06GD Fiches technique(PDF) 6 Page - A POWER MICROELECTRONICS |
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6 / 10 page ![]() AP50G06GD 60V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET AP50G06GD RVE1.0 永源微電子科技有限公司 P-Typical Characteristics 0 0.5 1 1.5 -50 0 50 100 150 TJ ,Junction Temperature ( ) 0.5 1.0 1.5 2.0 -50 0 50 100 150 TJ , Junction Temperature ( ) Fig.3 Forward Characteristics Of Reverse Fig.4 Gate-Charge Characteristics Fig.5 Normalized VGS(th) v.s TJ Fig.6 Normalized RDSON v.s TJ |
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