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IXFN230N20T Fiches technique(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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IXFN230N20T Fiches technique(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2 / 3 page  ISFM1387 eq IXFN230N20T N-Channel MOSFET www.iscsemi.com 2 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ=25℃) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN MAX UNIT V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS= 0V, ID= 3mA 200 -- V IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS= 200V, VGS= 0V -- 50 uA IGSS Gate-Body Leakage Current VGS= ±20V, VDS= 0V -- ± 200 nA VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS= VGS, ID= 8mA 3.0 5.0 V RDS(on) Drain-Source On-Resistance VGS= 10V, ID= 60A -- 7.5 mΩ VSD Forward On-Voltage IS= 60A, VGS= 0V -- 1.3 V PACKAGE DIMENSIONS (UNIT: mm) |
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