| Moteur de recherche de fiches techniques de composants électroniques |
|
AP15G10GD Fiches technique(PDF) 7 Page - A POWER MICROELECTRONICS |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
AP15G10GD Fiches technique(HTML) 7 Page - A POWER MICROELECTRONICS |
|
7 / 10 page ![]() AP15G10GD 100V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET AP15G10GD RVE1.0 永源微電子科技有限公司 VDS , Drain to Source Voltage (V) VDS , Drain to Source Voltage (V) Figure 8.Capacitance Characteristics Figure 9.Maximum Safe Operation Area Square Wave Pulse Duration (s) Figure 10.Normalized Transient Impedance Figure 10. Switching Time Waveform Figure 11. Unclamped Inductive Switching Waveform |
|
|
Lien URL |
| ALLDATASHEET vous a-t-il été utile ? [ DONATE ] |
À propos de Alldatasheet | Publicité | Contactez-nous | Politique de confidentialité | Lien vers la fiche technique | Echange de liens | Fabricants All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |