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DF2S16FS Fiches technique(PDF) 2 Page - Toshiba Semiconductor |
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DF2S16FS Fiches technique(HTML) 2 Page - Toshiba Semiconductor |
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2 / 3 page ![]() DF2S16FS 2007-11-01 2 Guaranteed Level of ESD Immunity Test Condition ESD Immunity Level IEC61000-4-2 (contact discharge) ± 12 kV Criterion: No damage to device elements Marking Equivalent Circuit (Top View) : 8 CT - VR 1 10 100 0 2 4 6 8 1012141618 ZENER VOLTAGE VZ (V) Ta = 25°C f = 1MHz IZ - VZ 0 0 0 1 10 10 12 14 16 18 20 ZENER VOLTAGE VZ (V) Ta = 25°C 0.1 0.01 0.001 |
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