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DF2S12FS Fiches technique(PDF) 2 Page - Toshiba Semiconductor |
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DF2S12FS Fiches technique(HTML) 2 Page - Toshiba Semiconductor |
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2 / 3 page ![]() DF2S12FS 2007-11-01 2 Guaranteed Level of ESD Immunity Test Condition ESD Immunity Level IEC61000-4-2 (Contact discharge) ± 30 kV Criterion: No damage to device elements Marking Equivalent Circuit (Top View) 8 ZENER VOLTAGE VZ(V) REVERSE VOLTAGE VR(V) |
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