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TPD4111K Fiches technique(PDF) 13 Page - Toshiba Semiconductor

No de pièce TPD4111K
Description  Power Device High Voltage Monolithic Silicon Power IC
PDF  27 Pages
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Fabricant  TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
Site Internet  http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng
Logo TOSHIBA - Toshiba Semiconductor

TPD4111K Fiches technique(HTML) 13 Page - Toshiba Semiconductor

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TPD4111K
2006-06-30
13
Junction temperature Tj (°C)
VCEsatH – Tj
Junction temperature Tj (°C)
VCEsatL – Tj
Junction temperature Tj (°C)
VFH – Tj
Junction temperature Tj (°C)
VFL – Tj
Control power supply voltage VCC (V)
ICC – VCC
Control power supply voltage VCC (V)
VREG – VCC
1.4
−20
3.4
3.0
2.6
2.2
1.8
20
60
100
140
IC = 700 mA
IC = 500 mA
IC = 300 mA
VCC = 15 V
0.8
−20
20
60
100
140
1.0
1.2
1.4
1.6
IF = 700 mA
IF = 500 mA
IF = 300 mA
140
0.8
−20
20
60
100
1.0
1.2
1.4
1.6
1.0
5
3.0
1.5
2.0
2.5
10
15
20
−20°C
25°C
135°C
20
5.0
5
5.5
6.0
6.5
10
15
7.0
−20°C
25°C
135°C
Ireg = 30 mA
140
IC = 700 mA
IC = 500 mA
IC = 300 mA
−20
3.4
3.0
2.6
2.2
1.8
20
60
100
VCC = 15 V
1.4
IF = 700 mA
IF = 500 mA
IF = 300 mA



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