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ISC015N03LF2S Fiches technique(PDF) 5 Page - Infineon Technologies AG

No de pièce ISC015N03LF2S
Description  MOSFET StrongIRFET™ 2 Power‑Transistor, 30 V
PDF  14 Pages
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Fabricant  INFINEON [Infineon Technologies AG]
Site Internet  http://www.infineon.com
Logo INFINEON - Infineon Technologies AG

ISC015N03LF2S Fiches technique(HTML) 5 Page - Infineon Technologies AG

  ISC015N03LF2S Datasheet HTML 1Page - Infineon Technologies AG ISC015N03LF2S Datasheet HTML 2Page - Infineon Technologies AG ISC015N03LF2S Datasheet HTML 3Page - Infineon Technologies AG ISC015N03LF2S Datasheet HTML 4Page - Infineon Technologies AG ISC015N03LF2S Datasheet HTML 5Page - Infineon Technologies AG ISC015N03LF2S Datasheet HTML 6Page - Infineon Technologies AG ISC015N03LF2S Datasheet HTML 7Page - Infineon Technologies AG ISC015N03LF2S Datasheet HTML 8Page - Infineon Technologies AG ISC015N03LF2S Datasheet HTML 9Page - Infineon Technologies AG Next Button
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background image
StrongIRFET™ 2 Power‑Transistor, 30 V
ISC015N03LF2S
Public
Datasheet
5
Revision 1.1
https://www.infineon.com
2024‑11‑25
3   Electrical characteristics
at  =25 °C, unless otherwise specified
T
Table 4      Static characteristics
Parameter
Symbol
Values
Unit Note / Test condition
Min.
Typ.
Max.
Drain‑source breakdown voltage
V
30
‑
‑
V
V =0 V,  =2 mA
I
Gate threshold voltage
V
1.35
1.85
2.35
V
V = ,  =60 μA
V I
Zero gate voltage drain current
I
‑
0.1 
10
1 
100
μA
V =30 V,  =0 V,  =25 °C 
V
T
=30 V,  =0 V,  =125 °C
V
V
T
Gate‑source leakage current
I
‑
10
100
nA
V =20 V,  =0 V
V
Drain‑source on‑state resistance
R
‑
1.28 
1.69
1.5 
2.6
mΩ V =10 V,  =50 A 
I
=4.5 V,  =25 A
V
I
Gate resistance
R
‑
1.9
‑
Ω
‑
Transconductance 6)
g
85
‑
‑
S
| |≥2| |
,  =50 A
V
I R
I
    Defined by design. Not subject to production test.
6)
Table 5      Dynamic characteristics
Parameter
Symbol
Values
Unit Note / Test condition
Min.
Typ.
Max.
Input capacitance
C
‑
3400
‑
pF
V =0 V,  =15 V,  =1 MHz
V
f
Output capacitance
C
‑
660
‑
pF
Reverse transfer capacitance
C
‑
170
‑
pF
Turn‑on delay time
t
‑
19
‑
ns
V =15 V,  =4.5 V,  =50 A, 
V
I
=1.6 Ω
R
Rise time
t
‑
13
‑
ns
Turn‑off delay time
t
‑
15
‑
ns
Fall time
t
‑
8.3
‑
ns
Table 6      Gate charge characteristics 7)
Parameter
Symbol
Values
Unit Note / Test condition
Min.
Typ.
Max.
Gate to source charge
Q
‑
11
‑
nC
V =15 V,  =50 A,  =0 to 4.5 V
I
V
Gate charge at threshold
Q
‑
6.2
‑
nC
Gate to drain charge
Q
‑
7.2
‑
nC
Switching charge
Q
‑
12
‑
nC
Gate charge total 8)
Q
‑
24
36
nC
Gate plateau voltage
V
‑
3.2
‑
V
Gate charge total 8)
Q
‑
50
75
nC
V =15 V,  =50 A,  =0 to 10 V
I
V
Gate charge total, sync. FET
Q
‑
21
‑
nC
V =0.1 V,  =0 to 4.5 V
V
j
(BR)DSS
GS
D
GS(th)
DS
GS D
DSS
DS
GS
j
DS
GS
j
GSS
GS
DS
DS(on)
GS
D
GS
D
G
fs
DS
D DS(on)max D
iss
GS
DS
oss
rss
d(on)
DD
GS
D
G,ext
r
d(off)
f
gs
DD
D
GS
g(th)
gd
sw
g
plateau
g
DD
D
GS
g(sync)
DS
GS



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